愛(ài)特梅爾公司宣布其具有業(yè)界最佳EMC性能(歐洲的EMC測(cè)試及一致性測(cè)試LIN2.0，美國(guó)的SAE J2602-2) 的ATA6662獨(dú)立LIN2.0轉(zhuǎn)發(fā)器芯片已經(jīng)可以供貨。憑借愛(ài)特梅爾的高電壓BCD-on-SOI (SMARTIS?) 工藝，全新的ATA6662在降低RF干擾的EMI性能方面設(shè)置了新的基準(zhǔn)。該器件具備極佳的ESD保護(hù)能力 (超過(guò)6 kV)，對(duì)為嚴(yán)酷的汽車(chē)工作環(huán)境設(shè)計(jì)強(qiáng)健的電子設(shè)備非常有利。這些設(shè)備包括車(chē)門(mén)模塊、車(chē)座控制、智能傳感器和其他車(chē)體電子相關(guān)的汽車(chē)舒適性應(yīng)用，只需要低速的數(shù)據(jù)通信，并具備低成本的特點(diǎn)。

ATA6662遵從LIN2.0標(biāo)準(zhǔn)，可以處理高達(dá)40V的電源。全面集成的 LIN 收發(fā)器并與LIN協(xié)議處理器 (如本地微控制器) 和LIN總線(xiàn)接口。改進(jìn)的總線(xiàn)信號(hào)斜率控制可以保證數(shù)據(jù)通訊速率達(dá)到20K波特，而協(xié)議處理器只需RC振蕩器即可。ATA6662在休眠模式下的電流消耗可少至10uA。

為了消除EMI問(wèn)題，ATA6662集成了受控?cái)[動(dòng)速率的功能。接收器的輸入濾波器可以減少由于總線(xiàn)信號(hào)導(dǎo)致的RF干擾。相比標(biāo)準(zhǔn)BCDMOS 的大型技術(shù)，愛(ài)特梅爾的SMARTIS工藝使用了SOI (silicon-on-insulator，硅位于絕緣體之上) 基板。其好處是極低的泄漏電流和在相同的芯片上極佳的數(shù)模串?dāng)_抑制能力，以及在高溫的工作條件下也不會(huì)拴鎖。降低了的寄生參數(shù)效果進(jìn)一步提高了EMC性能。

此外，ATA6662還提供了多種保護(hù)特性，如過(guò)溫自動(dòng)關(guān)閉、短路保護(hù)、總線(xiàn)高壓保護(hù) (直至40V) 等。ATA6662可以工作于3.3V和5V，還包含了針對(duì)TxD 引腳的“支配”超時(shí)功能，以防止永久地將此引腳驅(qū)動(dòng)為支配狀態(tài)。喚醒識(shí)別可以通過(guò)TxD和RxD的引腳狀態(tài)來(lái)了解是本地WAKE-UP引腳導(dǎo)致了喚醒動(dòng)作還是LIN總線(xiàn)遠(yuǎn)程喚醒。根據(jù)不同的喚醒條件，處理器可以選擇合適的處理例程。ATA6662并且能夠滿(mǎn)足嚴(yán)格的汽車(chē)認(rèn)證要求，完全經(jīng)受得住ISO/TR 7637/1定義的瞬態(tài)動(dòng)作。