德國半導體制造商Azzurro展示了‘1-bin’波長的LED晶圓，該技術可以做到少于3nm波長一致性生產數值，并在開發中得到1nm的結果。該公司表示，該破紀錄的1nm成功表明AZZURRO的技術有能力做出‘1bin’硅基氮化鎵LED晶圓。

AZZURRO表示，硅基氮化鎵晶圓的亮度和效率已經可以解決，但產量的問題至今仍無定論。氮化鎵與硅之間的巨大晶格失配和熱膨脹系數導致LED晶圓在生長過程中會出現高度的翹曲問題。這會對波長、前向電壓和輸出功率產生不良影響。AZZURRO采用其恰當的特有專利的應變工程技術和生長技術來克服這些障礙。

AZZURRO的突破性成果包括：波長<3nm或0.6%、前向電壓為1.3%以及輸出功率為3.9%，從而極大地省去binning工序。同時，它還發布了超高晶體質量的直徑為150nm的藍光硅基氮化鎵LED晶圓。與此同時，同樣令人印象深刻的200mm的LED晶圓顯示了該公司技術的可擴展性。

Azzurro最新的生產和發展成果清楚地證明，除了成本較低的基板和采用標準硅晶圓制作LED芯片等成本優勢外，基于應變工程技術的硅基氮化鎵LED晶圓還可以幫助減少binning。

該公司的聯合創始人兼CMO，AlexanderLoesing，也是LED技術業務部的領導人，評論說：“我們為團隊所取得的1.0nm的成就感到非常自豪。這些結果證明了我們的GaN-on-Si技術讓LED行業離生產“1bin”LED晶圓的目標更近。”