現如今，人們對移動存儲設備的容量要求越來越高，存儲容量的上限被不斷刷新，大數據、社交媒體的應用讓移動存儲的應用越來越廣泛，與此同時傳統的2D NAND工藝已無法滿足不斷升級的需求。根據美通社報道，中微半導體設備有限公司（簡稱“中微”）宣布Primo SSC AD-RIE（中微單反應臺等離子體刻蝕設備）已交付韓國領先的存儲器制造商。

Primo SSC AD-RIE是中微公司目前最先進的介質刻蝕設備，可用于1X納米關鍵刻蝕工藝芯片加工。在此之前，中微的Primo SSC AD-RIE已在南韓的16納米最關鍵的刻蝕步驟上實現大批量生產。這臺交付的設備將在客戶最先進工藝的3D VNAND試生產線上投入運行。

3D VNAND 代表了下一代前沿工藝，中微的客戶正是技術進步的領跑者。像存儲故障、光刻圖案技術的局限性等問題使在2D NAND工藝層面很難繼續向下一代工藝節點過渡，3D VNAND則能解決這一難題。3D VNAND帶來的好處還包括提高存儲容量和讀取速度，提升功率效能和可靠性，并降低生產成本。

“認識到3D VNAND閃存技術是存儲工藝的未來，我們在研發上投入了大量的人力和物力，與客戶緊密合作，開發用于這種高端制程工藝所必需的刻蝕技術。”中微副總裁兼存儲及邏輯產品關鍵客戶大區總經理KI Yoon說道，“能夠在這家領先客戶的3D VNAND試生產線上占有一席之地是對我們長期努力的肯定。另外，在這個只有少數一線刻蝕設備供應商高度競爭的領域，我們相信，我們的工藝質量和面對嚴峻技術挑戰的快速反應能力使我們贏得了訂單。我們很高興也很自豪，能夠為這一重要客戶開發這項工藝。”

Primo SSC AD-RIE 是采用高抽速，低壓，高能脈沖等離子體的手段為高深寬比刻蝕而開發的產品。這是中微Primo刻蝕產品家族中的最新一代產品。像中微其他所有刻蝕設備一樣，Primo SSC AD-RIE具備先進的技術水平、超高的生產效率和較低的生產成本。

中微高管將參加下周（7月14日至16日）在美國舊金山舉辦的美國半導體設備和材料展覽會SEMICON West。一年一度的SEMICON West展會是全球半導體設備行業精英的重要盛會。