自從ne555發(fā)布至今，已經(jīng)經(jīng)過了幾十年的時(shí)間，但這款晶片仍舊被沿用至今，足見其經(jīng)典程度及優(yōu)越性。在不斷的發(fā)展中，ne555的應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷的擴(kuò)充，本篇文章將針對(duì)ne555的占空比問題進(jìn)行解答，希望能為在這方面有所疑惑的朋友提供參考。

相信一部分設(shè)計(jì)者在使用ne555時(shí)都會(huì)遇到這樣一個(gè)問題，ne555的占空比能夠達(dá)到或大于0.5嘛？

圖1 ne555數(shù)據(jù)手冊(cè)

從手冊(cè)上可以看到，貌似占空比只要大于0.5，那么就不能實(shí)現(xiàn)真正的控制正激。那么D究竟能不能小于0.5呢？

圖2架構(gòu)圖

工作原理分析

表1

電容C可由RaRb充電，并由Rb放電占空比乃由Ra和Rb進(jìn)行控制，電容C的充放電乃是在VCC/3和2VCC/3之間重復(fù)進(jìn)行，過程分析：

初始UC在略低于VCC/3，此時(shí)輸出高電平，放電引腳關(guān)閉，VCC對(duì)C充電時(shí)間常數(shù)0.693（RA+RB）C；

沖電到略高于VCC/3，參考真值表輸出保持之前高電平，放電引腳關(guān)閉，VCC對(duì)C充電時(shí)間常數(shù)1/（RA+RB）C。充電到略高于2VCC/3，輸出低電平，放電開關(guān)打開，C放電時(shí)間常數(shù)1/RB*C；4.放電到略低于2VCC/3，進(jìn)入保持態(tài)，C放電時(shí)間常數(shù)0.693RB*C；5.放電到略低于VCC/3進(jìn)入1循環(huán)整個(gè)過程從而呈現(xiàn)高電平時(shí)間：

經(jīng)RA，RB充電VCC/3到2VCC/3的時(shí)間。

低電平時(shí)間：經(jīng)RB從2VCC/3放電到VCC/3的時(shí)間。

計(jì)算公式：

Vcc通過R1給C1充電，當(dāng)C1兩端電壓沒有達(dá)到2Vcc/3，555的7腳內(nèi)部放電管截止，Vo始終為高電平，直到C1充電至2Vcc/3為止；

當(dāng)C1兩端電壓達(dá)到2Vcc/3時(shí)，555的7腳內(nèi)部放電管飽和導(dǎo)通，C1通過R2經(jīng)過7腳到地進(jìn)行放電，同時(shí)Vo變?yōu)榈碗娖剑钡紺1兩端電壓下降至Vcc/3時(shí)，555的7腳內(nèi)部放電管才會(huì)截止，Vo由低電平跳變?yōu)楦唠娖剑缓笥珠_始新的充電過程，如此反復(fù)循環(huán)，輸出的Vo就是一個(gè)方波了。只有充電和放電時(shí)間相等才能保證占空比為50%這個(gè)電路只能實(shí)現(xiàn)占空比接近50%，而不可能等于。盡可能是R1<

本篇文章從ne555的占空比本身架構(gòu)出發(fā)，通過計(jì)算分析的方式對(duì)其中占空比的問題進(jìn)行了分析。希望對(duì)此方面有所疑問的朋友在閱讀過后能夠得到一定啟發(fā)。