東京——東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導體與存儲產品公司今日宣布研發新一代TarfSOI?（東芝先進的射頻絕緣體上硅（SOI））工藝—“TaRF8”，該工藝針對射頻（RF）開關應用進行了優化，實現了業界最低^[1]插入損耗^[2]。采用新工藝制造的SP12T^[3]射頻開關IC適用于智能手機，樣品出貨將于2016年1月啟動。

SP12T為一款用于移動應用的傳輸射頻開關IC，其搭載集成MIPI-RFFE^[4]控制器，適用于3GPP GSM、UMTS、W-CDMA、LTE和LTE-Advanced^[5]標準。采用東芝新一代工藝—東芝享有專利的、針對射頻開關進行了優化的SOI-CMOS^[6]TarfSOI前端工藝—TaRF8制造的產品實現了業界最低插入損耗（0.32db/2.7GHz）。與使用東芝當前TaRF6工藝制造的產品相比，其插入損耗提高0.1dB，同時保持相同水平的失真特性。

隨著移動通訊趨向于高速率、大容量數據傳輸，智能手機等移動設備所使用的射頻開關IC需要多端口支持和更高的射頻性能。在這一點上，降低插入損耗是一個尤為重要的因素，因為它降低射頻傳輸功率損耗，可支持移動設備具備更長的電池續航時間。

東芝正在研發利用其內部晶圓廠應用SOI-CMOS技術的高性能射頻開關IC，SOI-CMOS技術適合于集成模擬和數字電路。通過處理該生產流程的所有方面，從射頻工藝技術開發到射頻開關芯片的設計和制造，東芝可以基于其自己的射頻開關IC產品的研發結果反饋迅速改進SOI-CMOS工藝技術。這種集成器件制造商(IDM)模式讓東芝能夠快速建立適合于實際產品的新工藝技術并將采用最新工藝技術制造的產品推向市場。

東芝將繼續提高其TarfSOI工藝技術的性能并通過推出領先于其他制造商的尖端技術產品努力滿足客戶和市場對射頻開關IC的需求。

Fig.1 Insertion Loss Characteristics of SOI Process “TarfSOI?” for RF Switches

注：

[1]截至2015年11月20日，射頻開關IC市場。東芝調查。

[2]當射頻信號通過射頻開關傳輸時發生的功率損耗，以分貝（dB）表示

[3]單刀十二擲開關

[4]一種適用于移動設備射頻元件控制的串行總線接口規范，由MIPI（移動通信行業處理器接口）聯盟射頻前端（RFFE）工作小組標準化。

[5]由3GPP（第三代合作伙伴計劃）規定的移動通信標準。

[6]通過利用MOSFET溝道下的絕緣層來降低寄生電容的技術。SOI：絕緣體上硅

*TarfSOI是東芝公司的商標。