TI公司近日所推出的TPS53317A DDR存儲(chǔ)器電源終端解決方案，在適應(yīng)模式、工作溫度以及產(chǎn)品多樣性上占據(jù)多種優(yōu)勢(shì)，在用戶中獲得了較好的評(píng)價(jià)。在本文中，我們將會(huì)就TPS53317A與其他三款DDR存儲(chǔ)器電源終端產(chǎn)品，TPS51200、TPS51206和TPS53317，進(jìn)行比較，一起來(lái)看一下這四種DDR存儲(chǔ)器電源終端解決方案在參數(shù)方面都有哪些細(xì)微的不同之處。

TPS51200設(shè)備是TI專門為低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)打造的一款解決DDR存儲(chǔ)電源終端產(chǎn)品，能夠在運(yùn)行時(shí)保持一個(gè)快速的瞬態(tài)響應(yīng)，只需要一個(gè)最低20μF輸出電容。TPS51200支持遙感函數(shù)和DDR、DDR2、DDR3、低功耗DDR3、DDR4VTT總線終端。

TPS51206是TI近年來(lái)所推出的另外一款熱門DDR存儲(chǔ)器電源終端產(chǎn)品，其最大的特點(diǎn)就是本身具有VTTREF緩沖參考輸出的灌/拉電流。這一型號(hào)也是專門針對(duì)低輸入電壓、低成本、低外部元件數(shù)的空間受限類系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的。在實(shí)際運(yùn)用中，TPS51206可保持快速的瞬態(tài)響應(yīng)，并且僅需1個(gè)10μF的陶瓷輸出電容。TPS51206支持遠(yuǎn)程感測(cè)功能，并且可滿足DDR2、DDR3和低功耗DDR3（DDR3L）VTT總線的所有電源要求。VTT具有±2A峰值電流能力。

TPS53317A與TPS51200、TPS51206、TPS53317三種DDR存儲(chǔ)器電源終端的參數(shù)比較結(jié)果，如下圖所示：

TPS53317A與TPS51200、TPS51206、TPS53317的參數(shù)比較結(jié)果

以上是本文為各位工程師提供的TPS53317A與其他類型的DDR存儲(chǔ)器電源終端參數(shù)比較信息，希望能夠?yàn)楦魑还こ處煹脑O(shè)計(jì)研發(fā)工作提供一些幫助和借鑒。