Ne555是近幾十年來(lái)最為成功的管理IC之一，在多年的演變過(guò)程中，Ne555的功能雖然在不斷完善，但其核心功能并沒(méi)有產(chǎn)生任何變化。本文將根據(jù)實(shí)例分析，探討有關(guān)ne555在占空比輸出數(shù)值上是否能夠大于0.5的問(wèn)題進(jìn)行探討。

圖1

圖1顯示的內(nèi)容是ne555的數(shù)據(jù)手冊(cè)，通過(guò)文中的描述可以發(fā)現(xiàn)，占空比貌似只能大于0.5，但問(wèn)題也跟隨而來(lái)，如果占空比大于0.5就將對(duì)正激控制造成問(wèn)題。

圖2

工作原理分析

表1

電容C可由RaRb充電，并由Rb放電占空比乃由Ra和Rb進(jìn)行控制，電容C的充放電乃是在VCC/3和2VCC/3之間重復(fù)進(jìn)行，過(guò)程分析：

1、初始UC在略低于VCC/3，此時(shí)輸出高電平，放電引腳關(guān)閉。

VCC對(duì)C充電時(shí)間常數(shù)0.693（RA+RB）C；

2、沖電到略高于VCC/3，參考真值表輸出保持之前高電平，放電引腳關(guān)閉，VCC對(duì)C充電時(shí)間常數(shù)1/（RA+RB）C；

3、充電到略高于2VCC/3，輸出低電平，放電開關(guān)打開，C放電時(shí)間常數(shù)1/RB*C；

4、放電到略低于2VCC/3，進(jìn)入保持態(tài)，C放電時(shí)間常數(shù)0.693RB*C；

5、放電到略低于VCC/3進(jìn)入1循環(huán)

整個(gè)過(guò)程從而呈現(xiàn)高電平時(shí)間：經(jīng)RA，RB充電VCC/3到2VCC/3的時(shí)間；

低電平時(shí)間：經(jīng)RB從2VCC/3放電到VCC/3的時(shí)間；

計(jì)算公式

可見其實(shí)還是能夠?qū)崿F(xiàn)正激的，但需要采用諧振復(fù)位的方式來(lái)進(jìn)行。但需要注意的是，如果電路為三繞組去磁式正激那么確實(shí)沒(méi)有什么能夠較為完美實(shí)現(xiàn)正激的方法存在。

本文對(duì)ne555能否在占空比數(shù)值一定的情況下實(shí)現(xiàn)正激進(jìn)行了探討，通過(guò)論證的方式為大家展示了能夠進(jìn)行正激的可能性，并幫助讀者拓展思路，希望大家在閱讀過(guò)本文之后能夠有所收獲。