2016年3月29日 貿澤電子（Mouser Electronics）即日起開始分銷Panasonic氮化鎵（GaN）解決方案。為滿足現代電源的效率和功率密度設計需要，設計工程師一直在尋找GaN技術等可替代傳統MOS技術的方案，以節省能源、降低各種工業和消費電力交換系統的尺寸。Panasonic的GaN解決方案包括功率晶體管、柵極驅動器和評估板，可降低各種電源應用的能量損耗，例如電源、太陽能逆變器、發動機驅動器、電動汽車（EV）等。

GaN解決方案

Mouser現在備貨的氮化鎵（GaN）解決方案在具有高擊穿電壓和低導通電阻的硅襯底上使用復合材料GaN，相較于傳統硅器件開關速度更高，更易微型化。PGA26E19BA GaN表面貼裝（SMD）功率晶體管是一個帶有600V擊穿電壓的增強型常關電源開關。

即將上市（Mouser備貨）的PGA26C09DV GaN功率晶體管采用TO-220封裝，擊穿電壓同樣為600V，可防止電流崩塌。兩款器件都具有零恢復損耗，并采用松下專有的柵極注入晶體管（GIT）技術，可實現低導通電阻。GIT技術亦可防止因高電壓下導通電阻持續增加而引起的電流崩塌， 確保器件安全工作。

Mouser同時備貨的Panasonic AN34092B高速柵極驅動器僅需最少的外部元器件即可驅動SMD或TO-220 GaN晶體管。該單通道高速柵極驅動集成恒流源和負電壓電路，支持可調源電流（2.5mA至25mA）和外部電阻。AN34092B柵極驅動器提供欠壓鎖定和熱保護功能，內含VR引腳電壓和負電壓監控電路。

PGA26E19BA SMD晶體管和AN34092B柵極驅動器由PGA26E19BA-SWEVB006斬波評估板提供支持，該評估板可用于測量板載PGA26E19BA晶體管的開關特性（AN34092B柵極驅動器可增強其性能）。PGA26C09DV TO-220晶體管的的開關特性通過PGA26C09DV-SWEVB001評估板可以進行測量。

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