2016年7月14日 北京訊 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現業內最低，比傳統60-V負載開關低90%，同時，使終端系統功耗得以降低。CSD18541F5內置于微型1.53-mmx0.77-mm硅基封裝，其負載開關的封裝體積比SOT-23中的減小80%。

CSD18541F5金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）持典型的54-mΩ導通電阻（Rdson），其設計與優化的目的是取代空間受限的工業負載開關應用中的標準小信號MOSFET。這種微型連接盤網格陣列（LGA）封裝的焊盤間距為0.5-mm，易于安裝。

CSD18541F5是TI FemtoFET MOSFETs中NexFET?技術方案組合的新成員，擁有高電壓及生產友好型占位面積。請下載設計綜述，了解有關LGA封裝的詳細信息。

CSD18541F5主要特點和優勢

·10-V柵源（VGS）的超低54-mΩ Rdson比傳統60-V負載開關減小90%，使功耗得以降低。

·超小型1.53-mmx0.77-mmx0.35-mm LGA封裝比SOT-23封裝中的傳統負載開關尺寸減小80%，使印刷電路板（PCB） 的空間得以降低。

·生產友好型0.5-mm焊盤間距。

·集成靜電放電（ESD）保護二極管可防止MOSFET柵過壓。

封裝和供貨

CSD18541F5內置于3針LGA封裝，目前可由TI及其授權分銷商批量供貨（單位數量1,000）。請下載PSpice瞬態模型。

關于TI的NexFET功率MOSFET

TI的NexFET功率MOSFET提升了高功率計算、網絡、工業和電源應用中的能量效率。此類高頻、高效率的模擬功率MOSFET使得系統設計人員能夠運用現有的最先進的DC/DC電源轉換解決方案。

了解更多有關TI電源管理產品系列：

·查閱TI有關FET功率MOSFET的完整產品系列。

·采用TI的WEBENCH電源設計庫在線設計完整的電源管理系統。

·加入德州儀器在線支持社區電源管理論壇，尋找解決方案，獲得幫助，并與同行工程師和TI專家分享知識和解決難題。

·從TI Designs參考設計庫下載電源參考設計。