2016年12月27日 日本半導體制造商株式會社 東芝（Toshiba） 存儲&電子元器件解決方案公司旗下東芝電子有限公司宣布，東芝的64層BiCS FLASH^TM產品榮獲《電子產品世界》2016年度“編輯推薦獎”之“最佳創新理念獎”。

由于物聯網（IoT）等信息密集度較高的應用領域的快速發展，實時性能被視為重要要求，大量的數據必須由大數據系統進行管理或無限期存儲到數據中心和云服務系統。在這種情況下，需要大容量存儲以便能夠以高速和低功耗的方式處理、存儲和管理大量的數據。而且對于移動終端、存儲卡等應用而言，低功耗存儲的需求正在日益增長。BiCS FLASH相比于平面NAND閃存提供了許多優點，它正逐步成為滿足市場要求的解決方案。

東芝于1987年發明了NAND閃存，并且率先于1991年開始量產該產品，這開創了世界的先例。隨后，通過縮小制造工藝和工藝技術節點，東芝不斷增大NAND閃存的容量，并于2007年6月推出全球首款BiCS FLASH^TM原型技術。多年來通過不斷致力于下一代技術以及大批量生產技術的研發的東芝，在2016年7月推出世界首款64層3D NAND樣品，進一步滿足了國際市場對更小體積、更大容量閃存的需求。

本次獲獎的最新一代64層BiCS FLASH^TM技術產品，其采用了3位元（三階存儲單元，TLC）技術，容量達到256千兆比特（32GB），與48層堆疊工藝相比，東芝領先的64層堆疊工藝使每單元芯片尺寸容量提高40%，降低了位存儲成本并提高了每個硅晶片內存容量的可制造性。64層BiCS FLASH^TM這一重大進步凸顯了東芝專利結構的潛力，不僅可以滿足嚴苛的性能規格需求，同時充分發揮了BiCS FLASH產品的高密度／高容量、快速編程速度、高可靠性、低功耗等特點，該新器件將適用于企業級和消費級固態硬盤、智能手機、平板電腦和內存卡等應用。

東芝表示，為了應對快速發展的信息技術，東芝將繼續完善BiCS FLASH^TM技術，公司發展藍圖的下一里程碑是64層512千兆比特（64GB）器件。未來，東芝將推出更多主要瞄準大容量應用領域的產品組合，如消費級固態硬盤、企業級固態硬盤等，同時該技術的閃存同樣可以應用于智能手機、平板機、存儲卡。