經常有研發工程師和器件工程師問到這樣的問題：兩個不同公司的功率MOSFET管，耐壓和導通電阻基本相同，標稱的電流也相同，該如何判斷哪一個功率MOSFET管的雪崩能量更高，雪崩能力更強？

MOSFET A

測試條件：起始結溫TJ=25°C，電感L=0.1mH，IAS=30A，EAS=45mJ。

MOSFET B

測試條件：起始結溫TJ=25°C，電感L=8mH，IAS=10A，EAS=400mJ。

由于二個功率MOSFET的雪崩電流和雪崩能量的測試條件不同，使用不同的電感值，因此無法確定哪一個雪崩性能更好。

下面再看幾個實際例子：

1、AOS：大多數功率MOSFET使用L=0.1mH。

AOS AON6590：L=0.3mH，數據表標明用去耦電路測量。

AOS AON6260：L=0.1mH，數據表標明用去耦電路測量。

2、不同公司電感都不相同，有些沒有標明。

TK100E10NE：L=42uH，Toshiba數據表標明使用非去耦電路測量，比同樣條件下去耦電路的值高。

BSC035N10NS5：沒有標明電感值，似乎Infineon的MOSFET都沒有標出電感值，也不知道用非去耦電路還是去耦電路測量。

STP15810：ST數據表沒有標電感值，后面說明了用去耦電路測試電路，可以通過使用的電源電壓和雪崩電壓來計算電感。

3、同一家公司不同產品測量電感也不同。

IRFB4310：L=0.35mH，IR數據表標明用去耦電路測量。

IRF3205：L=138uH，數據表標明用去耦電路測量。

IRF4110：L=0.033mH，數據表標明用去耦電路測量。

IRF7437

L=0.069mH，L=0.095mH，測試了二個電感條件下的雪崩能量，數據表標明用去耦電路測量。

IRFB7430

L=0.15mH，L=1mH，測試了二個電感條件下的雪崩能量，數據表標明用去耦電路測量。

IRFB7540

L=86uH，L=1mH，測試了二個電感條件下的雪崩能量，數據表標明用去耦電路測量。

4、數據表和生產所用電感值不相同

FDMS86101

L=0.3mH，L=0.1mH，測試了二個電感條件下的雪崩能量，數據表標明用去耦電路測量。

FDMS86181

L=3mH，L=0.1mH，測試了二個電感條件下的雪崩能量，數據表標明用去耦電路測量。

5、電感值大，UIS雪崩能量高。

IR和Fairchild的有些功率MOSFE的數據表中，使用不同的電感值測試雪崩能量，可以看到：電感值大，UIS雪崩能量也大?？聪旅媪硗舛€產品，也可以說明這一點。

AOS MOSFET：60V/25mOhm，測試條件：VGS=15V，VDD=25V，TA=25C，DPAK封裝。

TI CSD18502KCS：數據表標明用非去耦電路測量電路。

從前面結果可以看到，不同公司的功率MOSFET，同一公司不同型號功率MOSFET，都有可能使用不同的電感測量UIS雪崩能量，使用測量電路也不相同，數據表標示結果在很大程度上沒有可比性，也不能直接說明哪一個功率MOSFET的UIS雪崩能量更高，抗雪崩能力更強。

為了比較功率MOSFET的UIS雪崩能量的高低，必須在同樣條件下測量得到結果，這樣才更有意義。

同一個器件，使用的電感值越高，UIS雪崩能量更高。

由于沒有統一的標準，有些公司在測量UIS雪崩能量過程中使用較大的電感，這樣使器件在數據表中可以標出比較大的雪崩能量，因此工程師要仔細的研究數據表，比較測試條件和測試電路，從而正確判斷功率MOSFET的UIS雪崩能量。

許多公司UIS雪崩能量需要在生產線上全部檢測，有些型號的功率MOSFET，測量數據表中標出的UIS雪崩能量時，使用的電感值較大，例如：L=3mH；而在生產線上實際全檢時所用的電感值較小，例如：L=0.1mH，這又是什么原因，這個問題就留給大家思考。