全球領先的模擬/混合信號代工廠X-FAB Silicon Foundries繼續(xù)開發(fā)突破性的工藝方案以解決富有挑戰(zhàn)性的設計，現(xiàn)宣布推出雪崩光電二極管（APD）和單光子雪崩二極管（SPAD) 器件，用于滿足在微弱光源條件下所需的靈敏度，以及嚴格的時間分辨率。

基于該公司廣受歡迎的180nm高壓XH018工藝，這些功能塊提供了高性能參數(shù)和直接集成的組合。APD具有良好的線性增益特性，并且完全可擴展從僅僅10到幾百微米的尺寸。 使用X-FAB專有抑制電路（quenching circuit) ，SPAD的死區(qū)時間少于15ns，因而能夠支持高帶寬設計。此外，其較低的暗計數(shù)率(dark count rate: <100counts/s/μm2）意味著它對熱噪聲的敏感性要低得多。 SPAD的高光子探測率（PDP）確保了更高比例的入射光子觸發(fā)雪崩，并且此高比例能夠在很寬的波長范圍內(nèi)保持（例如在400nm處為40％）。

X-FAB 的APD和SPAD可用于廣泛的應用領域，其中包括接近感應、激光雷達（LiDAR）、飛行時間（ToF）、醫(yī)學成像（CT和PET）和科學研究。由于它們符合AEC-Q100標準，因而同樣適用于汽車系統(tǒng)中應用。此外，已經(jīng)實現(xiàn)的低擊穿電壓（<20V）有助于將它們整合到客戶芯片。作為X-FAB設計套件的組成部分，它們完整的表征，并可輕松的與XH018工藝中的其他模塊組合。光學和電學仿真模型以及特定的應用指南可幫助設計師在短時間內(nèi)將這些器件集成到其電路中。除了以功能塊格式提供外，配合SPAD工作的抑制參考電路(quenching circuit)也可提供。

X-FAB特色工藝制程分享會2019將于7月8日至12日在中國3個不同城市舉行 - 北京（7月8日），西安（7月10日）和成都（7月12日）。 該活動旨在展示XFAB在精密模擬/混合信號領域的專長, 設計支持服務和代工廠解決方案，以支持汽車，工業(yè)和醫(yī)療市場.

X-FAB將參加于2019年6月25至27日在圣何塞McEnery會議中心舉辦的傳感器博覽會（Sensors Expo），展位號546，屆時公司團隊成員將能夠討論全新APD和SPAD產(chǎn)品。