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Power Integrations推出的InnoSwitch產品系列最新器件 可在整個負載范圍內提供95%的高效率，并且在密閉適配器內不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升得益于PI自行研發的氮化鎵(GaN)技術。
在新發布的IC中，高壓GaN開關替代了IC初級側的常規硅晶體管，從而大幅降低能耗,使體積更小的InSOP-24D封裝提供更大的輸出功率。目標應用包括USB PD和大電流充電器/適配器、機頂盒、顯示器、家電、網絡及游戲產品。
目前已有三個產品系列集成該GaN技術– InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro，并且提供多款設計范例：
InnoSwitch3-CP -最適合恒功率充電
? DER-602 -100 W USB PD Type-C充電器
? DER-601 -60 W USB PD Type-C充電器
InnoSwitch3-EP -最適合敞開式電源
? DER-747 -65 W家電及 工業應用電源
InnoSwitch3-Pro -最適合可動態控制的電壓及電流
? DER-805 -100 W USB PD 3.0充電器（提供 3.3 V-21 V PPS輸出）
? DER-803 -60 W USB PD 3.0充電器（提供 3.3 V-21 V PPS輸出）
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