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意法半導體推出新款MasterGaN4器件,實現高達200瓦的高能效功率變換

2021-04-15 13:55 來源:意法半導體 編輯:電源網

意法半導體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管,以及優化的柵極驅動器和電路保護功能,可以簡化高達200W的高能效電源變換應用的設計。

ST新聞稿2021年4月15日——意法半導體推出新款MasterGaN4器件,實現高達200瓦的高能效功率變換

作為意法半導體MasterGaN系列的最新產品,MasterGaN4解決了復雜的柵極控制和電路布局難題,簡化了寬帶隙GaN功率半導體的應用設計。MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V-15V,可以直接連接到控制器,例如,霍爾效應傳感器或微控制器、DSP處理器、FPGA可編程器件等CMOS芯片。

GaN晶體管開關性能出色,工作頻率更高,能效更高,散熱發熱更少,設計人員可以選用尺寸更小的磁性組件和散熱器,設計更小、更輕的電源、充電器和適配器。MasterGaN4非常適用于對稱半橋拓撲以及軟開關拓撲,例如,有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。

4.75V-9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現有電源軌。內置保護功能包括柵極驅動器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過熱保護,可進一步簡化應用設計。還有一個專用的關斷引腳。

作為這次產品發布的一部分,意法半導體還推出一個MasterGaN4原型開發板(EVALMASTERGAN4)。這塊評估板提供使用單一或互補信號驅動MasterGaN4的全部功能,以及一個可調的死區時間發生器。用戶可以靈活地施加一個單獨輸入信號或PWM信號,插入一個外部自舉二極管,隔離邏輯器件和柵極驅動器電源軌,以及使用一個低邊電流采樣電阻設計峰值電流模式拓撲。

MasterGaN4現已投產,采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝,超過2mm的爬電距離確保在高壓應用中的使用安全。

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