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貿澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT,賦能4G和5G通信應用

2021-08-23 13:55 來源:貿澤電子 編輯:電源網

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨Qorvo® QPD0011高電子遷移率晶體管 (HEMT)。此碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 晶體管性能優異,可為5G大規模MIMO、LTE和WCDMA系統中的蜂窩基站和射頻應用提供支持。

貿澤電子備貨的Qorvo QPD0011是一款非對稱雙路放大器,采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封裝。QPD0011具有30 W到60 W的可變輸入功率、+48 V的漏極電壓、3.3 GHz至.6 GHz的工作電壓,以及高達13.3 dB的增益,并能在Doherty設計環境中實現高達90 W的超高效信號峰值功率。

為了便于開發,Mouser還提供了配套的QPD0011EVB1評估板。此平臺包括一個示例應用電路,在與現有設計結合使用時可加快原型設計速度。QPD0011適用于宏蜂窩小區和微小區基站、有源天線以及非對稱Doherty設計等應用。

PRINT_Qorvo QPD0011

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