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第二代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）將DDR5數(shù)據(jù)速率提高17%，同時(shí)降低延時(shí)和功耗

為服務(wù)器主存儲(chǔ)器提供5600MT/s DDR5 RDIMM的關(guān)鍵支持

展現(xiàn)了Rambus在下一代服務(wù)器DDR5內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位

Rambus 5600 MT/s DDR5 RCD眼圖

中國北京，2021年11月17日 —— 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和IP核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布已開始向主要的DDR5內(nèi)存模塊（RDIMM）供應(yīng)商提供數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)5600MT/s的第二代RCD芯片樣品。第二代RCD芯片性能更強(qiáng)，較第一代4800MT/s的Rambus DDR5 RCD的數(shù)據(jù)傳輸速率提高了17%。通過關(guān)鍵創(chuàng)新，Rambus能夠以更低的延遲和能耗提供5600 MT/s的性能，同時(shí)優(yōu)化定時(shí)參數(shù)，提升RDIMM的裕量。

IDC計(jì)算半導(dǎo)體研究部門副總裁Shane Rau表示：“高階工作負(fù)載正在持續(xù)推動(dòng)對(duì)更大內(nèi)存帶寬的需求。以Rambus為代表的DDR5生態(tài)系統(tǒng)參與者必須不斷提高性能標(biāo)準(zhǔn)，以滿足數(shù)據(jù)中心應(yīng)用迅速增長的需求。”

Rambus首席運(yùn)營官范賢志（Sean Fan）表示：“RCD是DDR5服務(wù)器DIMM的關(guān)鍵賦能部件，提供了下一代數(shù)據(jù)中心所需的帶寬和容量。實(shí)現(xiàn)5600MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率是Rambus在DDR5內(nèi)存接口產(chǎn)品領(lǐng)域保持領(lǐng)先的最新力證。”

與DDR4相比，DDR5內(nèi)存在DIMM中內(nèi)置更多智能功能，可將數(shù)據(jù)傳輸速率提高一倍，容量提升至四倍，同時(shí)還降低了功耗、提高了內(nèi)存效率。Rambus內(nèi)存接口芯片是下一代服務(wù)器實(shí)現(xiàn)全新性能水平的關(guān)鍵。

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