【2022年12月7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和臺積電近日宣布，兩家公司準備將臺積電的可變電阻式記憶體制程技術引入至英飛凌的新一代MCU AURIX?微控制器中。

自首個發動機管理系統問世以來，嵌入式閃存微控制器一直是汽車電子控制單元（ECU）的主要構建模塊。這些微控制器是打造綠色、安全和智能汽車所不可或缺的組成部分，被應用于驅動系統、車輛動態控制、駕駛輔助和車身應用中，助力汽車領域在電氣化、全新電子電氣（E/E）架構和自動駕駛方面實現了重大創新。目前，市場上的大多數MCU系列均采用嵌入式閃存技術。作為下一代嵌入式存儲器，RRAM可以進一步擴展至28nm及以上。

英飛凌AURIX TC4x微控制器產品性能的可擴展性與虛擬化、安全和網絡功能方面的最新趨勢相結合，以支持新一代軟件定義汽車和全新E/E架構。英飛凌與臺積電成功地將RRAM引入至汽車領域，為AURIX微控制器建立了更加廣泛的技術與供應基礎。RRAM具有很高的抗干擾性并且允許在不需要擦除的情況下進行逐位輸入，其耐久性和數據保持性能堪比閃存技術。

臺積電業務發展高級副總裁Kevin Zhang博士表示：“英飛凌和臺積電長期以來一直保持著成功的合作關系，比如在第一代AURIX TC2x產品的合作。我們在RRAM NVM技術領域也合作了近十年，涵蓋了各種不同的應用。此次為TC4x引入RRAM將為MCU的進一步小型化開辟新的可能性。我們十分高興能與英飛凌這樣領先的企業展開合作?！?

英飛凌科技高級副總裁兼汽車微控制器業務總經理Thomas Boehm表示：“AURIX TC3x作為一款倍受青睞的汽車微控制器已經在許多應用領域得到了認可?；谂_積電RRAM技術打造的AURIX TC4x將憑借更高的ASIL-D性能、更加強大的AI功能以及包括10Base T1S以太網和CAN-XL等在內的最新的網絡接口，進一步擴大這一領先優勢。RRAM技術為提高性能、減少功耗和節約成本創造了巨大的潛力?！?

供貨情況

英飛凌正在向主要客戶提供基于臺積電28nm eFlash技術的AURIX TC4x系列樣品。首批基于28nm RRAM技術的樣品將在2023年底前提供給客戶。