2023年12月15日，中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡化電源設(shè)計，實現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計目標(biāo)。

意法半導(dǎo)體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅(qū)動器、系統(tǒng)保護(hù)功能，以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設(shè)計者處理GaN晶體管柵極驅(qū)動開發(fā)難題。這兩款產(chǎn)品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡化了電路布局。

這兩款新器件內(nèi)置兩個連接成半橋的GaN HEMT晶體管，這種配置適合開發(fā)采用有源箝位反激式轉(zhuǎn)換器、有源箝位正激式轉(zhuǎn)換器或諧振式轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞拈_關(guān)式電源、適配器和充電器。MasterGaN1L和MasterGaN4L分別與MasterGaN1和MasterGaN3引腳兼容。與早期的產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品重新優(yōu)化了導(dǎo)通時間，支持更高的開關(guān)頻率，在低負(fù)載的情況取得更高的能效，能效提高在諧振拓?fù)渲杏葹槊黠@。

輸入引腳接受3.3V至15V的信號電壓，輸入滯后和下拉電阻有助于輸入直連控制器，例如，微控制器、DSP信號處理器或霍爾效應(yīng)傳感器。專用關(guān)斷引腳有助于設(shè)計者節(jié)省系統(tǒng)功率，兩個GaN HEMT晶體管的時序匹配精準(zhǔn)，集成一個互鎖保護(hù)電路，防止橋臂上的開關(guān)管交叉導(dǎo)通。

MasterGaN1L HEMT的導(dǎo)通電阻RDS(on)為150m?，額定電流為10A，適合最高功率500W的應(yīng)用。空載功耗只有20mW，支持高轉(zhuǎn)換效率，使設(shè)計者能夠滿足行業(yè)嚴(yán)格的待機(jī)功耗和平均能效目標(biāo)。MasterGaN4L HEMT定位最高功率200W的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻RDS(on)為225m?，額定電流為6.5A。

EVLMG1LPBRDR1和EVLMG4LPWRBR1演示板現(xiàn)已上市，有助于開發(fā)者評估每款產(chǎn)品的功能。這兩塊板子集成一個針對LLC應(yīng)用優(yōu)化的GaN半橋功率模組，方便開發(fā)者利用MasterGaN1L和MasterGaN4L器件快速創(chuàng)建新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，而無需使用完整的PCB設(shè)計。

這兩款器件均已量產(chǎn)，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝。

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意法半導(dǎo)體擁有5萬名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM)，意法半導(dǎo)體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發(fā)產(chǎn)品和解決方案，共同構(gòu)建生態(tài)系統(tǒng)，幫助他們更好地應(yīng)對各種挑戰(zhàn)和新機(jī)遇，滿足世界對可持續(xù)發(fā)展的更高需求。意法半導(dǎo)體的技術(shù)讓人們的出行更智能，讓電源和能源管理更高效，讓云連接的自主化設(shè)備應(yīng)用更廣泛。意法半導(dǎo)體承諾將于2027年實現(xiàn)碳中和(在范圍1和2內(nèi)完全實現(xiàn)碳中和，在范圍3內(nèi)部分實現(xiàn)碳中和)。詳情請瀏覽意法半導(dǎo)體公司網(wǎng)站：www.st.com。