2024年12月20日，中國——為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計，意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)的諧振轉換器參考設計。

意法半導體的MasterGaN-SiP在一個封裝內整合了GaN功率晶體管與開關速度和控制準確度優化的柵極驅動器。使用高集成度的系統級封裝SiP代替采用多個分立元件的等效解決方案，有助于最大限度地提高電源的性能和可靠性，同時加快設計速度，節省PCB電路板空間。

新的電源參考設計的目標應用是空間有限、能效至關重要的工業級電源。該電源整合了MasterGaN1L(內置兩個650V 150m? GaN FET晶體管)與意法半導體的L6599A諧振控制器，峰值能效高于94%，原邊無需安裝散熱器。該電源還集成了意法半導體的SRK2001A同步整流控制器，整體面積緊湊，為 80mm x 50mm，功率密度高達每立方英寸34瓦(W/inch3)。

該電源的最大輸出電流為10A，在24V直流電壓時，輸出功率為250W，待機電流低于1μA，卓越的節能效果。L6599A和SRK2001A內置的保護功能可以防護過流、短路和過壓的沖擊，而輸入電壓監測可確保電源正常啟動并提供欠壓鎖定。

EVL250WMG1L現已上市，集成了全部功能，可立即測評電源功能。相關文檔全文發布在www.st.com/evl250wmg1l上，可幫助系統設計人員加快GaN電源項目開發進度。

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