利用帶隙較寬的層夾住帶隙窄且極薄的層形成的構(gòu)造。帶隙較窄的層的電勢要比周圍（帶隙較寬的層）低，因此形成了勢阱（量子阱）。在LED和半導(dǎo)體激光器中，量子阱構(gòu)造用于放射光的活性層。重疊多層量子阱的構(gòu)造被稱為多重量子阱（MQW：multiquantumwell）。

藍色LED等是通過改良量子阱構(gòu)造等GaN類結(jié)晶層的構(gòu)造取得進展的。GaN類LED在成為MIS（metal-insulatorsemiconductor）構(gòu)造，pn接合型雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造，采用單一量子阱的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造以及采用多重量子阱的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造的過程中，其亮度和色純度得到了提高。采用MIS構(gòu)造的藍色LED在還沒有實現(xiàn)p型GaN膜時，就被廣泛開發(fā)并實現(xiàn)了產(chǎn)品化。缺點是光強只有數(shù)百mcd。p型GaN膜被造出來之后，采用pn接合型雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造的藍色LED得以實現(xiàn)。與MIS構(gòu)造相比，發(fā)光亮度達到了1cd，是前者的10倍左右。如果用多重量子阱構(gòu)造來取代pn接合型雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造，發(fā)光光度和色純度會進一步提高（發(fā)光光譜的半值幅度變窄）。

 

　　GaN類藍色發(fā)光二極管的構(gòu)造變遷

　　（a）為采用MIS（metal-insulator-semiconductor）構(gòu)造的藍色LED。

　　（b）為采用多重量子阱（MQW：multiquantumwell）構(gòu)造的藍色LED。

　　雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造是指在LED和半導(dǎo)體激光器等中，在活性層的兩側(cè)設(shè)置了能隙比活性層還要大的包覆層的構(gòu)造。可獲得將電子和空穴封閉在活性層內(nèi)的效果。所以發(fā)光元件采用雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造的話，可提高光輸出。另外，只在活性層的一側(cè)設(shè)置能隙較大的包覆層的構(gòu)造被稱為單異質(zhì)結(jié)。

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