減少R的阻值試試.

什么結構的電路?RCC或反激?或...

驅動加個二極管就搞定了!但是我就是搞不懂關斷時變斗不知道是什么問題有高手請教下嗎?

MOS的D、S兩端有個等效電容,在MOS關斷時需要對電容充電,所以就出現了那個彎.

減小電阻是有效果,但是電阻不能變太小,因為電阻上功耗會變大.
還有別的辦法嗎?

對電容充電還是放電??
能解釋一下嗎?謝謝!
有什么有效的解決辦法?
在R兩端并一個MOS管給他瞬間接通一下可行嗎??

電阻減小,功耗會變大?

如此簡單的問題,還來問,你好牛哦.加瀉放

不恥下問,
對我來說是新問題,
還請解釋解釋

不懂則問,
學問太淺,還請指點,
能否解釋的清楚些

負電源處再加個P溝道的MOS G極與N溝道的G極并.

加P溝道是可以,但是G極驅動要加負脈沖才能使負電壓送出,否則輸出端的負電壓沒有輸出.

選低柵荷的,如IRFP460LC

是對電容充電.至于解決的辦法,我也不是很了解.從管子來講,要選輸出電容小的.

Vo和GND間再接一個小size N管,N管gate信號由Vin加Invertor產生, 有點像LDO里sink管的作用.

在P溝道的柵極與負電源處,柵極與N溝道柵極處各接兩個分壓電阻應該就可以了.

也可以降低R的電阻值.

分壓電阻可能不可行,因為+V有300V.
該電阻大概什么范圍?

那該信號要隔離驅動了,而且是導通很短時間,對嗎?

加個二極管就可以了,不同的結構加法不同的.

我覺得在G腳加一個泄放電阻就應該可以搞定了

這個DIODE怎么加?

由兩電阻分壓不會造成燒管的,分壓值由自己定,但不要超過管子VGS最高電壓,兩分壓電阻阻值小些,對關斷時間有改善,跟頻率有關.為安全可以有兩管GS之間加穩壓管.

可以使用兩個MOS管啊？推挽驅動不行

個人認為加一個二極管在驅動的地方是沒有用的。加了二極管RC充電還存在。直接使用兩個MOS管最好了。