以下電路設計老是燒MOS管。設計電流余量是夠的。

LV.8

2013-01-12 10:48

MOS管燒掉不是只因電流過大引起，DS電壓或GS電壓超限和溫度超限都可能炸掉。所有建議還看看電壓和溫度。

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LV.2

2013-01-14 09:52

@不要放棄

MOS管的規格小了，，把MOS管換大一點的。

MOS選多少大呢這個選型怎么選。

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LV.2

2013-01-14 09:54

@dreamer662006

MOS管燒掉不是只因電流過大引起，DS電壓或GS電壓超限和溫度超限都可能炸掉。所有建議還看看電壓和溫度。

電壓完全不會超的。上限是40V。溫度在未失效情況下不可能超上限的。這個在好的樣機里溫升測試是沒有任何問題的。

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xuanxuan

LV.2

2013-01-14 14:09

查查驅動吧，看驅動波箱，尤其帶功率的時候。

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nkzfwjf

LV.4

2013-01-14 14:48

@xuanxuan

查查驅動吧，看驅動波箱，尤其帶功率的時候。

查驅動是對的

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LV.8

2013-01-14 17:02

@gdfrg

電壓完全不會超的。上限是40V。溫度在未失效情況下不可能超上限的。這個在好的樣機里溫升測試是沒有任何問題的。

看著電壓是不會超的。你們做溫升測試時測到的溫度是多少？這個MOSFET的最大節溫允許多少啊？

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LV.2

2013-01-15 20:30

@dreamer662006

看著電壓是不會超的。你們做溫升測試時測到的溫度是多少？這個MOSFET的最大節溫允許多少啊？

溫升都量了的。可能是電感后級的反壓。

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LV.9

2013-01-16 08:40

@nkzfwjf

查驅動是對的

你的上下管的死區時間是多少，有可是死區時間太小，使兩管同時有導通現象？？

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kyhejie

LV.1

2013-01-16 12:32

你確定你的電路圖是完整的？我看差了一點東西

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LV.2

2013-01-17 08:41

@賀赫無名

你的上下管的死區時間是多少，有可是死區時間太小，使兩管同時有導通現象？？

死區區間，圖中很明顯啊。藍色的是高導通，黃色低導通。

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LV.2

2013-01-17 08:42

@kyhejie

你確定你的電路圖是完整的？我看差了一點東西

差了那部分呢控制信號是CPU給的。

確實有缺個肖特基二極管這個影響大嗎？

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LV.8

2013-01-17 09:10

你給的那兩個波形各是哪個地方的波形？電感和寄生電容振蕩產生尖峰電壓可能導致下管燒壞，還有就是下管體二極管的反向恢復問題。

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LV.2

2013-01-17 09:18

@dreamer662006

你給的那兩個波形各是哪個地方的波形？電感和寄生電容振蕩產生尖峰電壓可能導致下管燒壞，還有就是下管體二極管的反向恢復問題。

是控制PMOS（黃色）和NMOS（藍色）的波形。

尖峰電壓怎么測量呢。這個燒板率大約千分之一。因為涉及大批量。所以是個大問題。

插入MOS的規格書吧

207065803000

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735575630

LV.5

2013-01-17 10:10

怎么不在MOSFET的G、S兩端加個10k電阻呢？？可能是輸入電容Ciss獲得了電荷，來不及放電，使得剛上電時，MOSFET的D、S兩端電壓過大，造成燒管的呢？？建議在MOSFET的G、S兩端加個10k電阻，防止MOSFET誤操作

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LV.8

2013-01-17 10:48

@gdfrg

是控制PMOS（黃色）和NMOS（藍色）的波形。尖峰電壓怎么測量呢。這個燒板率大約千分之一。因為涉及大批量。所以是個大問題。插入MOS的規格書吧[圖片]207065803000

探頭將地線弄的盡量短來測量。

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LV.9

2013-01-17 12:39

@gdfrg

死區區間，圖中很明顯啊。藍色的是高導通，黃色低導通。

藍高黃低，就有死區

如果是藍低，黃高，就沒有死區

樓主說明一下波形到底是對應哪兩腳產生的

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LV.9

2013-01-17 12:44

@賀赫無名

你的上下管的死區時間是多少，有可是死區時間太小，使兩管同時有導通現象？？

不過樓主又說了，只有千分之一。。。

估計死區是有的

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LV.9

2013-01-17 12:45

@賀赫無名

不過樓主又說了，只有千分之一。。。估計死區是有的

應該上一個電感1端的波形圖

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LV.9

2013-01-17 12:48

@735575630

如果是開機就燒MOS管，就要考濾在GS間加一個1K的電阻

如果不是，就可以考濾其它，如過溫，散熱等。或是程序是否偶爾有使管子誤導通的地方

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LV.8

2013-01-17 14:27

@735575630

高端的那個MOS，地和低端的那個是一樣啊？

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kyhejie

LV.1

2013-01-17 19:13

@735575630

有道理

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kyhejie

LV.1

2013-01-17 19:14

@gdfrg

差了那部分呢控制信號是CPU給的。確實有缺個肖特基二極管這個影響大嗎？

我認為很可能是21樓說的那個原因。

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LV.2

2013-02-17 14:28

@賀赫無名

應該上一個電感1端的波形圖

等一下我找找。過年了還是不讓人省心。依然燒的厲害。

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LV.2

2013-02-17 14:44

@dreamer662006

探頭將地線弄的盡量短來測量。

測量時還是主要針對控制波形嗎

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LV.2

2013-02-17 14:46

@735575630

DS端電壓瞬間能導致燒管嗎？

DS電壓上限應該±30V

這個有可能超過嗎貌似沒抓取過這個的瞬間電壓。

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心中有冰

2013-02-17 15:26

@gdfrg

DS端電壓瞬間能導致燒管嗎？DS電壓上限應該±30V這個有可能超過嗎貌似沒抓取過這個的瞬間電壓。

瞬間的電壓超標，就要看波形了

如果進入了雪崩區，那你就要計算雪崩能量來衡量是否超出datasheet給出的值

如果沒有進入雪崩區，那么就要用電壓跟電流的的波形積分來計算能量，以及這個能量產生的溫升加上殼溫是否超出結溫的最大值來衡量了

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LV.2

2013-02-17 15:42

@心中有冰

瞬間的電壓超標，就要看波形了如果進入了雪崩區，那你就要計算雪崩能量來衡量是否超出datasheet給出的值如果沒有進入雪崩區，那么就要用電壓跟電流的的波形積分來計算能量，以及這個能量產生的溫升加上殼溫是否超出結溫的最大值來衡量了

好的。我可以去測試一下。

關鍵有一個問題。

板子的控制信號目前已經壞了。無論你換什么MOS都必須燒毀。

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LV.2

2013-02-17 16:11

@dreamer662006

高端的那個MOS，地和低端的那個是一樣啊？

一個NMOS一個PMOS

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