漏感引起的尖峰電壓這部分電壓不會損壞MOSFET?

碰到一牛人,用600V的MOSFET在一反激電路中,測試時Vds電壓710V(含尖峰電壓),說只要減掉尖峰電壓部分不超過600V就沒問題!是真的嗎?請高手指點,謝謝!

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jameszeng

LV.4

2004-09-10 10:16

那就得看這710V是在什么條件下抓到的

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base

LV.2

2004-09-10 10:57

@jameszeng

那就得看這710V是在什么條件下抓到的

滿載輸出20V/6A,前級PFC輸出380V,樓上的,謝謝回答!

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jameszeng

LV.4

2004-09-10 10:59

@base

滿載輸出20V/6A,前級PFC輸出380V,樓上的,謝謝回答!

在我看來,是不能接受的

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老狼

LV.8

2004-09-10 11:02

太危險了,不要說MOSFET留點余量了.

如果這樣,你這個電源的MTBF肯定很低.

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base

LV.2

2004-09-10 11:07

@老狼

太危險了,不要說MOSFET留點余量了.如果這樣,你這個電源的MTBF肯定很低.

謝了!據說此人是臺灣一專業電源公司RD,似乎挺要面子,我無法說服他!

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老狼

LV.8

2004-09-10 11:12

@base

謝了!據說此人是臺灣一專業電源公司RD,似乎挺要面子,我無法說服他!

是嗎?
知錯就改,是好孩子嘛!

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LV.1

2004-09-10 11:19

其實,很多公司都這樣用的,因為如果質量好的MOS本身就有一定的余量,而且,還可以利用管子本身雪崩擊穿的能量,因此,他的話是有道理的.

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base

LV.2

2004-09-10 11:25

其實,很多公司都這樣用的,因為如果質量好的MOS本身就有一定的余量,而且,還可以利用管子本身雪崩擊穿的能量,因此,他的話是有道理的.

不是很明白,怎么利用雪崩擊穿能量?看一些資料說,重復性雪崩擊穿引起的功率耗散會對MOSFET造成嚴重破壞,怎么解釋?謝謝DX!

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jhf123

LV.4

2004-09-10 16:00

這個710V電壓主要看是在什么樣的情況下得到的.
一般來說, 高壓MOSFET的Vds在測試時瞬間峰值是最高的.如果710V是瞬間電壓, 正常工作時的Vds是小于600V(一般取1.2倍以上的余量), 應該是沒有問題的.如果在正常工作時電壓是710V(含尖峰電壓), 那肯定是有問題的, 至少MTBF是不行的.

在開機, 關機, 或是短路時, 盡管瞬間峰值電壓大于MOSFET的額定值, 但時間很短,一般是不會炸MOSFET的, 但峰值也不能太高.我做了量產很大的機, 900V的MOSFET, 在短路時峰值達到1050V,正常工作是是780V. 沒有問題.還有一款電源, 也是120W, 用600V的MOSFET,剛開始做短路測試時老是炸MOSFET,一測試發現在起機瞬間Vds是800V,短路時是1000V.后來該了設計,也就OK了. 畢竟,對于100多瓦的電源, 用大于600V的MOSFET, 不是一個好的設計.
樓上老兄說的, 我想應該是我說的瞬間峰值電壓吧.

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hereliu

LV.8

2004-09-10 20:11

其實,很多公司都這樣用的,因為如果質量好的MOS本身就有一定的余量,而且,還可以利用管子本身雪崩擊穿的能量,因此,他的話是有道理的.

雪崩擊穿?雪崩擊穿一來,熱擊穿立即就跟來了,除非你串了很大的限流電阻,否則,你如何限制MOS的功率使其不超出安全工作區?

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king-騎士

LV.7

2004-09-11 10:33

看了你的貼子有個疑問.就是說.他的尖峰電壓是710V那么他的嵌位電路是的嵌位電壓是多少呢?
嵌位不保護MOS管嗎?

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king-騎士

LV.7

2004-09-11 10:34

@jhf123

這個710V電壓主要看是在什么樣的情況下得到的.一般來說,高壓MOSFET的Vds在測試時瞬間峰值是最高的.如果710V是瞬間電壓,正常工作時的Vds是小于600V(一般取1.2倍以上的余量),應該是沒有問題的.如果在正常工作時電壓是710V(含尖峰電壓),那肯定是有問題的,至少MTBF是不行的.在開機,關機,或是短路時,盡管瞬間峰值電壓大于MOSFET的額定值,但時間很短,一般是不會炸MOSFET的,但峰值也不能太高.我做了量產很大的機,900V的MOSFET,在短路時峰值達到1050V,正常工作是是780V.沒有問題.還有一款電源,也是120W,用600V的MOSFET,剛開始做短路測試時老是炸MOSFET,一測試發現在起機瞬間Vds是800V,短路時是1000V.后來該了設計,也就OK了.畢竟,對于100多瓦的電源,用大于600V的MOSFET,不是一個好的設計.樓上老兄說的,我想應該是我說的瞬間峰值電壓吧.

看了你的貼子有個疑問.就是說.他的尖峰電壓是710V那么他的嵌位電路是的嵌位電壓是多少呢?
嵌位不保護MOS管嗎?

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hotsps

LV.7

2004-09-11 16:52

@king-騎士

看了你的貼子有個疑問.就是說.他的尖峰電壓是710V那么他的嵌位電路是的嵌位電壓是多少呢?嵌位不保護MOS管嗎?

鉗位反應沒這麼快

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king-騎士

LV.7

2004-09-21 08:55

@hotsps

鉗位反應沒這麼快

那一般我們的嵌位電路不就是保護MOS管的嗎?
他的做用不就是把電路嵌位到嵌位電壓的范圍內.防止變壓器產生的尖逢電壓超過一定的電壓.從而保護MOS管嗎?

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goldfish

LV.2

2004-09-21 12:28

@base

不是很明白,怎么利用雪崩擊穿能量?看一些資料說,重復性雪崩擊穿引起的功率耗散會對MOSFET造成嚴重破壞,怎么解釋?謝謝DX!

其實就是你的尖峰能量小于mos管的雪崩擊穿能量的話,就沒有問題

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今天的明天

LV.5

2004-09-21 12:36

@jhf123

這個710V電壓主要看是在什么樣的情況下得到的.一般來說,高壓MOSFET的Vds在測試時瞬間峰值是最高的.如果710V是瞬間電壓,正常工作時的Vds是小于600V(一般取1.2倍以上的余量),應該是沒有問題的.如果在正常工作時電壓是710V(含尖峰電壓),那肯定是有問題的,至少MTBF是不行的.在開機,關機,或是短路時,盡管瞬間峰值電壓大于MOSFET的額定值,但時間很短,一般是不會炸MOSFET的,但峰值也不能太高.我做了量產很大的機,900V的MOSFET,在短路時峰值達到1050V,正常工作是是780V.沒有問題.還有一款電源,也是120W,用600V的MOSFET,剛開始做短路測試時老是炸MOSFET,一測試發現在起機瞬間Vds是800V,短路時是1000V.后來該了設計,也就OK了.畢竟,對于100多瓦的電源,用大于600V的MOSFET,不是一個好的設計.樓上老兄說的,我想應該是我說的瞬間峰值電壓吧.

MTBF是什么亞,不要嫌我無知啊

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今天的明天

LV.5

2004-09-21 12:41

@jhf123

這個710V電壓主要看是在什么樣的情況下得到的.一般來說,高壓MOSFET的Vds在測試時瞬間峰值是最高的.如果710V是瞬間電壓,正常工作時的Vds是小于600V(一般取1.2倍以上的余量),應該是沒有問題的.如果在正常工作時電壓是710V(含尖峰電壓),那肯定是有問題的,至少MTBF是不行的.在開機,關機,或是短路時,盡管瞬間峰值電壓大于MOSFET的額定值,但時間很短,一般是不會炸MOSFET的,但峰值也不能太高.我做了量產很大的機,900V的MOSFET,在短路時峰值達到1050V,正常工作是是780V.沒有問題.還有一款電源,也是120W,用600V的MOSFET,剛開始做短路測試時老是炸MOSFET,一測試發現在起機瞬間Vds是800V,短路時是1000V.后來該了設計,也就OK了.畢竟,對于100多瓦的電源,用大于600V的MOSFET,不是一個好的設計.樓上老兄說的,我想應該是我說的瞬間峰值電壓吧.

是呀,鉗位為什么不起作用呢?

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zgh468

LV.2

2004-09-21 13:33

@今天的明天

MTBF是什么亞,不要嫌我無知啊

mean time between failure 平均無故障間隔時間

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eastlaker

LV.4

2004-09-21 14:47

@jhf123

這個710V電壓主要看是在什么樣的情況下得到的.一般來說,高壓MOSFET的Vds在測試時瞬間峰值是最高的.如果710V是瞬間電壓,正常工作時的Vds是小于600V(一般取1.2倍以上的余量),應該是沒有問題的.如果在正常工作時電壓是710V(含尖峰電壓),那肯定是有問題的,至少MTBF是不行的.在開機,關機,或是短路時,盡管瞬間峰值電壓大于MOSFET的額定值,但時間很短,一般是不會炸MOSFET的,但峰值也不能太高.我做了量產很大的機,900V的MOSFET,在短路時峰值達到1050V,正常工作是是780V.沒有問題.還有一款電源,也是120W,用600V的MOSFET,剛開始做短路測試時老是炸MOSFET,一測試發現在起機瞬間Vds是800V,短路時是1000V.后來該了設計,也就OK了.畢竟,對于100多瓦的電源,用大于600V的MOSFET,不是一個好的設計.樓上老兄說的,我想應該是我說的瞬間峰值電壓吧.

開關機時出現的電壓尖峰應該被限制在什么范圍呢?
大家有沒有這方面的經驗?

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