這么好的資料,怎么沒有人頂呢

確實是好資料!   很好!

想請教樓主一個問題呀.
LLC諧振上管要實現ZVS,首先是下管結電容COSS2充電,上管的結電容COSS1放電,只要當COSS1充電到VIN+0.7V左右,上管體內二極管放可以導通,此時才可以實現ZVS.這樣理解對?如果是對的那么下管COSS2上面的電壓怎么充到那么高的電壓?如果是錯的還望樓主詳細講解一下.

頂!
這個資料對于理解LLC相當有價值!!!

靠下管的寄生電容實現,當下管關閉時電感對下管的寄生電容充電,很快將HB點的電壓充到VIN+0.7V,然后上管導通,這時上管就實現了ZVS.

謝謝,大俠指點.這點我是可以理解的.我搞不懂的是,HB點的電壓怎么能上升那么高.諧振時候,漏感和諧振上面的電壓幾乎為0,初級電感上面的電壓又被輸出反射為NV0.還希望你多多指點?我個人認為是結電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內充到很高的值,正是由于VIN的存,有個乾位的作用,使HB點的電壓被充到VIN+0.7不知道是否正確.

謝謝,大俠指點.這點我是可以理解的.我搞不懂的是,HB點的電壓怎么能上升那么高.諧振時候,漏感和諧振電容上面的電壓幾乎為0,初級電感上面的電壓又被輸出反射為NV0.還希望你多多指點?我個人認為是結電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內充到很高的值,正是由于VIN的存,有個乾位的作用,使HB點的電壓被充到VIN+0.7不知道是否正確.

結電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內充到很高的值,

我想是這樣的
LLC的電路我也沒有做過,只是看datasheet和原理說明書理解成這個樣子.

結電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內充到很高的值, 這樣去理解是對的.
但是為什么能充到比VIN還要高就有點費解.這個說明給結電容充電的電流源(LP+LS)的電壓值要高于VIN.而LP上面的電壓被輸出反射,只有N*V0,那么LS上面是不是也承擔了VIN/2的電壓值.