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請教關于MOSFET的耗散功率

MOSFET的DATASHEET里都有一個耗散功率,隨溫度升高耗散功率降低,請問這個耗散功率是什么意思.比如一個MOSFET在25度時的耗散功率是400W,那這個MOSFET是否就不能用在600W輸出的BOOST升壓APFC上?另外,如果是半橋逆變電路,輸出為600W,那么是否每個MOSFET的耗散功率只要選擇300W就夠了?
請指教,謝謝!
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yxh5692
LV.2
2
2006-10-11 11:07
希望能得到高手指點!
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daphnis
LV.2
3
2006-10-11 11:18
這個功率是指的這個mos管自己本身可以承受的這么大的功率.

所以跟你整個的電路輸出功率是沒有直接關系的.

所以這個功率跟你那個功率是兩回事...可不可以用取決與你的mosfet部分電路承受.
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yxh5692
LV.2
4
2006-10-11 11:22
那這個耗散功率是不是Id平方X Rds?這樣算的話電流要大大于額定的Id才會超過這個功率.那給出這個數據就沒什么意義了吧
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daphnis
LV.2
5
2006-10-11 11:54
@yxh5692
那這個耗散功率是不是Id平方XRds?這樣算的話電流要大大于額定的Id才會超過這個功率.那給出這個數據就沒什么意義了吧
id平方Xrds,只是在該條件下的rds,不是他的最大耗散功率.
rdson是隨著器件的運行而改變的.

所以要算在最惡劣情況下的,rds及在該條件下運行的電流,電流值和最大耗散功率值必須仔細觀察因為它
們只有當背板溫度到25 ? C時才能達到.

所以你那樣算出來.不是它的最大耗散功率.
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yxh5692
LV.2
6
2006-10-11 12:01
謝謝指教,那MOSFET的選擇和這個耗散功率就沒有什么關系了好象,因為即使在最惡劣情況下算出來的值也是遠遠低于額定的耗散功率的.可是我不明白,為什么一個母線電壓400V、輸出600W的半橋逆變電路,要選用Id高達40A的MOSFET?
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