輸出是輸出,耗散是耗散,兩回事,不能混為一談的,,,

謝謝回復(fù),那這個耗散功率雜MOSFET的選擇中起什么作用呢?MOSFET的選擇我現(xiàn)在主要是看Vds和Id,當然還有Rds,但是比如一個母線電壓400V,輸出600瓦的半橋逆變,它的Id并不高,為什么要選擇一個30~40A的MOSFET呢?

因為熱帶來的問題.

Id是MOSFET能通過的電流容量,主要由RDS與耗散功率確定,ID越高,表明MOSFET對電流的控制能力越大,如果用于功率控制,當然給ID足夠的可控空間好些.當然同樣的ID情況下,QG越小越好.

稍微解釋一下,免得讓你一頭霧水.
Pd的定義通常是: (Tj(max)-Ta)/Rja, 它表征著芯片內(nèi)部的散熱能力.而I^2*Rdson是發(fā)熱,顯然Pd>=I^2*Rdson,否則IC燒毀.

許多datasheet上的電流或內(nèi)阻,哪怕是PD都是有條件的.什么條件呢?溫度. 具體的怎么查曲線我不說了.但概念先陳述一下,望你明白.