驅動電壓太低,10v左右最好

我的輸入是30K的頻率,你幫我分析一下

用圖騰柱驅動不是更好?

要看你的輸出功率和變壓器的參數(shù)?還有驅動波形的上升緣是否良好?

P=300W,變壓器初級12V,次級110V,因為變壓器客戶提供的,具體參數(shù)怎么合適?

我的功率管是60N06,VGS是10V的,用圖騰柱效果也沒改善啊?

應該是變壓器或者是反饋不合理,你的圖不全,變壓器資料不全很難分析.

初級3T,次級22T.

用的是推挽嗎?效率應該在75%以上才正常.

對的,用的推挽.我的驅動經一三極管放大由對管輸出的.PWM信號是單片機提供的,后來我干脆短開單片機,直接用30K信號的信號源提供,結果也是沒什么大的變化.只是輸出電壓稍微比單片機時高一些,因為現(xiàn)在短開單片機時是沒有反饋調整的.
是啊,不知道是哪里還有問題?
還想各位高手,幫我看看問題出在哪里?

驅動幅值過低15V較好

朋友,問題解決了嗎?從圖上參數(shù)來看開關管的上升沿有多少個微秒啊,很慢的哦!5.1k/CImos

你的意思是上升沿慢是什么導致的呢?另外你上面的5.1k/CImos能否解釋一下?不好意思

我現(xiàn)在后一級用的是圖騰柱推動啊,大約12伏啊

跟MOS管柵極相連的那個三極管的集電極電阻4.7K,CImos是指MOS管的柵極輸入電容.MOS管的導通是要靠12V電源通過4.7K電阻給MOS管柵極電容充電完成的.可以算一下,最大的充電電流約為:12V/4.7K=2.5mA,太小了.不信你用UC或SG3525做個驅動器來驅動看看,效果肯定不一樣.

上升沿是很慢,我后來改過的電路,也沒注意到這個問題,現(xiàn)在也還沒改過來,順便傳上來.ST兄,先參考一下吧,再看做如何改動?呵呵,,麻煩了!1099331856.sch

改了一下,試試看吧,我不明白對MOS你還加10K的電阻來限流干嘛.1099334493.sch

我試試看看吧

ST兄,你的判斷很準啊,問題就在這里.我的那個限流是多余的,我把我的測試數(shù)據(jù)告訴你吧:負載75W的時,效率為90;120W時為83.要求上是300W的,還有些問題:
  1、PWM的占空,是取樣110V的電壓,單片機根據(jù)比較器判斷的高低電平來進行調節(jié)的.因為占空就不是固定的了,這樣一來,帶的負載不同的話,效率就不知道該怎么保證了.
  2、在驅動MOS的柵極上,我如果加個12V穩(wěn)壓管與10K的電阻并接到地,是不是會更好一些,原理上說得通嗎?
  3、因為我的后級電路是要得到一個110V的正弦波形,這樣的話,模擬正弦波時,效率還要打個折扣,只有0.7左右
  請給高見!THANKS!!

你是要做正弦波逆變器吧?如故是SPWM調制波的話那么現(xiàn)在的驅動是不行的,速度還是太慢,得在100ns以內才好些,還不如用些專用的驅動芯片來驅動呢,如IR,TC,MC類.另外變壓器是不是低頻的啊,如果是,它應該也是提高效率的一大障礙.

不是啊,我的是30K的脈沖波啊．變壓器是高頻．
100ns的時間會很難保證吧?MOS的本身就有幾十個ns的呀?專用的驅動芯片效果將是怎么樣?我沒有用過的,請你能傳達點信息

我用過IR的2110和2103,2106,若不是正弦調制波的話速度慢點也無妨.還有MOS管在大負載的時候熱不熱啊?

如果效率有80,90的話,發(fā)熱還好,感覺不燙啊.現(xiàn)在是我的后級會很燙,也還是驅動的問題:
  50HZ的信號一個直接給驅動MOS(之間還有個電阻),一邊給三極管放大后給MOS的(有12V);
  另一半50HZ也是對稱的
直接給的那個我如果也改成圖騰式驅動,不知道還有什么改動呢?

加IR之類的驅動就好了.

我昨天沒查到IR的資料,你知道哪里有嗎?

1099489906.pdf1099489919.pdf
www.irf.com

謝謝