全橋硬開關(guān)，mosfet使用的是irfp460，變壓器次級(jí)全波整流輸出，整流二極管使用MBR30200，負(fù)載較輕時(shí)其中一個(gè)下管的驅(qū)動(dòng)和DS波形如下：

開關(guān)管關(guān)斷后和下一次開通前的死區(qū)時(shí)間里，VDS基本是等于直流母線電壓一半，但隨著負(fù)載加重，波形變?yōu)椋?/p>

現(xiàn)在的問(wèn)題是在死區(qū)時(shí)間里出現(xiàn)震蕩，并且右邊的平臺(tái)明顯低于左邊，兩個(gè)平臺(tái)都隨負(fù)載電流加大往下移動(dòng)，在MOSFET的ds并聯(lián)RC會(huì)有一定改善，但無(wú)法根治，在論壇里搜索了下，好像有人遇到，用“陰陽(yáng)肩”來(lái)描述，但沒(méi)有搜索到具體原因。請(qǐng)各位前輩們指教出現(xiàn)這個(gè)現(xiàn)象的原因。