用的是NCP5181驅動芯片,BOOT TRAP二極管串聯(lián)了一個10歐0805封裝1/8W的電阻,可是當全橋輸入DC電壓升高到100伏左右的時候這個10歐電阻就會被燒掉。
如果換50歐電阻的話,上端MOSFT關的VGS隨著輸入DC電壓升高會衰減。
請問大家是因為這個串聯(lián)電阻的功率不夠大嗎?我選用1/8W是因為看了這款芯片的Application Note,上面就是用的0805封裝。
如果我直接把這個電阻短路,會有什么不良后果嗎?
謝謝!
可以試試適當加大電阻功率,或者換個反向特性比較軟些的二極管
加電阻實際上是未來照顧一些反向特性比較“硬”的二極管來設計的,范圍一般5-30R都是可以的,如果選用合適的二極管也可以不用加電阻,直接把電阻短路起來也是可以的
另外我不知道你半橋母線電壓是多少,你用這個400V的二極管有沒有足夠的余量,也許這也是造成電阻燒壞的原因,二極管上的反向電壓近視等于母線電壓
還有你說加大電阻,上管的驅動電壓會隨著DC升高而減小,這應該是一個不正常的現(xiàn)象,不知道你說的DC是母線電壓還是IC的電源,上管VGS電壓只與IC的VCC和IC輸入端的的驅動信號占空比有關,是不是你的半橋輸入在母線電壓升高的時候,環(huán)路控制驅動信號PWM脈寬非常小,所以導致VGS下降,這時候把電阻加大確實是一個不安全的設計
謝謝米老鼠的解答!
我實際用的是S1J-E3/5AT這款二極管,他的擊穿電壓是600伏,我的母線電壓最高是400V。我不知道他的反向特性是否足夠軟。
我說的上管的驅動電壓隨著DC升高而減小,是母線的電壓。我測試的是全橋LLC電路,占空比在弱50%。我測試的時候是120kHz的頻率,對應的下管開通時間是4.16微秒,應該足以把boot trap 電容充滿。
如果我用50歐的電阻,如果母線電壓為0的時候,上官驅動電壓正常,但是母線電壓增高的話,這個驅動電壓就退化。
如果我用10歐的電阻,母線電壓增高的話,上管驅動電壓不存在這個問題。
是因為我的硬件有什么問題嗎?