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輻射超標(biāo)

用ACT30B做5V2A全電壓輸入,要求無(wú)Y電容,傳導(dǎo)OK輻射58MHz超標(biāo),請(qǐng)問(wèn)各位如何解決?(變壓器為EE22)
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youguobo
LV.4
2
2007-03-13 14:17
這應(yīng)該是你的IC的工作頻率,你的變壓器圖紙傳上來(lái)看看,還有就是你的次級(jí)要加一個(gè)小共模電感,改變你次級(jí)共模電感的圈數(shù)試試看,你的效率是多少?
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cicinio
LV.4
3
2007-03-13 16:27
@youguobo
這應(yīng)該是你的IC的工作頻率,你的變壓器圖紙傳上來(lái)看看,還有就是你的次級(jí)要加一個(gè)小共模電感,改變你次級(jí)共模電感的圈數(shù)試試看,你的效率是多少?
MOS DS端 并一顆幾十pF的電容看看
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ipxzerg
LV.4
4
2007-03-13 23:01
@cicinio
MOSDS端并一顆幾十pF的電容看看
這種方法得小心MOS管溫度.
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ipxzerg
LV.4
5
2007-03-13 23:03
你的電路中有共模電感嗎?
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hcdeng
LV.4
6
2007-03-15 14:41
@ipxzerg
你的電路中有共模電感嗎?
有共模電感,并且輸入輸出都有
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2007-03-15 15:52
有外殼嗎
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powerpss
LV.2
8
2007-03-15 18:07
@ipxzerg
這種方法得小心MOS管溫度.
Effi也會(huì)隨之降低.
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hcdeng
LV.4
9
2007-03-15 20:17
@youping3525
有外殼嗎
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ipxzerg
LV.4
10
2007-03-15 23:09
@hcdeng
有共模電感,并且輸入輸出都有
這樣都還超啊?
動(dòng)點(diǎn)逐個(gè)加磁環(huán)試試.
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dingyk
LV.4
11
2007-03-16 09:35
@hcdeng
把輸入共模圈數(shù)見(jiàn)效看看.
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dingyk
LV.4
12
2007-03-16 09:37
@dingyk
把輸入共模圈數(shù)見(jiàn)效看看.
把共模圈數(shù)減小看看
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youguobo
LV.4
13
2007-03-16 12:45
@hcdeng
最關(guān)鍵的還是看看你變壓器的EMI處理,把你的變壓器資料上傳看看.
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hcdeng
LV.4
14
2007-03-16 17:45
@youguobo
最關(guān)鍵的還是看看你變壓器的EMI處理,把你的變壓器資料上傳看看.
已經(jīng)搞定,謝謝大家支持
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jdchen
LV.2
15
2007-03-17 21:01
@hcdeng
已經(jīng)搞定,謝謝大家支持
老兄怎么搞好的總該說(shuō)說(shuō)吧,讓大家分享一下了.
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dingyk
LV.4
16
2007-03-18 17:06
@jdchen
老兄怎么搞好的總該說(shuō)說(shuō)吧,讓大家分享一下了.
我現(xiàn)在也有個(gè)輻射的問(wèn)題搞不定,把你的方法說(shuō)出來(lái)參考一下
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hcdeng
LV.4
17
2007-03-20 11:10
@dingyk
我現(xiàn)在也有個(gè)輻射的問(wèn)題搞不定,把你的方法說(shuō)出來(lái)參考一下
關(guān)鍵是變壓器的工藝
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powercheng
LV.9
18
2007-03-20 11:51
1.MOS管管腳套上磁珠.
2.有Y電容的話Y電容管腳套上磁珠.
3.降低一下開(kāi)關(guān)頻率.
4.D,S之間并聯(lián)一只10pF~100PF電容試試.
5.加大輸出共模電感.
6.銅箔屏蔽變壓器.
7.線材上套上磁環(huán).
8.改進(jìn)LAYOUT,PCB上所有類似“天線”的地方都用刀割掉試試.
9.元件管腳都剪短一點(diǎn).不要架高.
10,以上方法都不行的話,重新設(shè)計(jì)吧.
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jdchen
LV.2
19
2007-03-20 16:29
@hcdeng
關(guān)鍵是變壓器的工藝
這個(gè)只跟變壓器的參數(shù)有關(guān)系嗎?
跟變壓器的參數(shù)有沒(méi)有關(guān)系呢?
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李紹波
LV.9
20
2007-03-20 21:55
@powercheng
1.MOS管管腳套上磁珠.2.有Y電容的話Y電容管腳套上磁珠.3.降低一下開(kāi)關(guān)頻率.4.D,S之間并聯(lián)一只10pF~100PF電容試試.5.加大輸出共模電感.6.銅箔屏蔽變壓器.7.線材上套上磁環(huán).8.改進(jìn)LAYOUT,PCB上所有類似“天線”的地方都用刀割掉試試.9.元件管腳都剪短一點(diǎn).不要架高.10,以上方法都不行的話,重新設(shè)計(jì)吧.
第六條效果大大的好,只是工藝復(fù)雜點(diǎn),內(nèi)外都要加,內(nèi)屏蔽不可短路,并要以引線接至熱地.
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ipxzerg
LV.4
21
2007-03-21 00:03
@李紹波
第六條效果大大的好,只是工藝復(fù)雜點(diǎn),內(nèi)外都要加,內(nèi)屏蔽不可短路,并要以引線接至熱地.
整個(gè)變壓器最外面的屏蔽可能效果更好.
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2010-12-03 16:29
@powercheng
1.MOS管管腳套上磁珠.2.有Y電容的話Y電容管腳套上磁珠.3.降低一下開(kāi)關(guān)頻率.4.D,S之間并聯(lián)一只10pF~100PF電容試試.5.加大輸出共模電感.6.銅箔屏蔽變壓器.7.線材上套上磁環(huán).8.改進(jìn)LAYOUT,PCB上所有類似“天線”的地方都用刀割掉試試.9.元件管腳都剪短一點(diǎn).不要架高.10,以上方法都不行的話,重新設(shè)計(jì)吧.
頂一個(gè)
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2010-12-03 16:29
@powercheng
1.MOS管管腳套上磁珠.2.有Y電容的話Y電容管腳套上磁珠.3.降低一下開(kāi)關(guān)頻率.4.D,S之間并聯(lián)一只10pF~100PF電容試試.5.加大輸出共模電感.6.銅箔屏蔽變壓器.7.線材上套上磁環(huán).8.改進(jìn)LAYOUT,PCB上所有類似“天線”的地方都用刀割掉試試.9.元件管腳都剪短一點(diǎn).不要架高.10,以上方法都不行的話,重新設(shè)計(jì)吧.
頂一個(gè)
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a52632035
LV.4
24
2011-06-04 16:09
@powercheng
1.MOS管管腳套上磁珠.2.有Y電容的話Y電容管腳套上磁珠.3.降低一下開(kāi)關(guān)頻率.4.D,S之間并聯(lián)一只10pF~100PF電容試試.5.加大輸出共模電感.6.銅箔屏蔽變壓器.7.線材上套上磁環(huán).8.改進(jìn)LAYOUT,PCB上所有類似“天線”的地方都用刀割掉試試.9.元件管腳都剪短一點(diǎn).不要架高.10,以上方法都不行的話,重新設(shè)計(jì)吧.

師長(zhǎng),能不能告訴我類似于天線的PCB線是什么樣的啊···給個(gè)圖片吧~~~膜拜

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yineibo2009
LV.5
25
2011-06-04 17:22
@a52632035
師長(zhǎng),能不能告訴我類似于天線的PCB線是什么樣的啊···給個(gè)圖片吧~~~膜拜
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liuhou
LV.9
26
2011-06-04 21:10
@powercheng
1.MOS管管腳套上磁珠.2.有Y電容的話Y電容管腳套上磁珠.3.降低一下開(kāi)關(guān)頻率.4.D,S之間并聯(lián)一只10pF~100PF電容試試.5.加大輸出共模電感.6.銅箔屏蔽變壓器.7.線材上套上磁環(huán).8.改進(jìn)LAYOUT,PCB上所有類似“天線”的地方都用刀割掉試試.9.元件管腳都剪短一點(diǎn).不要架高.10,以上方法都不行的話,重新設(shè)計(jì)吧.
師長(zhǎng)總結(jié)的很全面。
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框子
LV.4
27
2011-06-04 21:24
@powercheng
1.MOS管管腳套上磁珠.2.有Y電容的話Y電容管腳套上磁珠.3.降低一下開(kāi)關(guān)頻率.4.D,S之間并聯(lián)一只10pF~100PF電容試試.5.加大輸出共模電感.6.銅箔屏蔽變壓器.7.線材上套上磁環(huán).8.改進(jìn)LAYOUT,PCB上所有類似“天線”的地方都用刀割掉試試.9.元件管腳都剪短一點(diǎn).不要架高.10,以上方法都不行的話,重新設(shè)計(jì)吧.
套磁珠?怎么理解?有圖片讓我看看嗎?
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wanwehua
LV.6
28
2011-08-17 12:02
@powercheng
1.MOS管管腳套上磁珠.2.有Y電容的話Y電容管腳套上磁珠.3.降低一下開(kāi)關(guān)頻率.4.D,S之間并聯(lián)一只10pF~100PF電容試試.5.加大輸出共模電感.6.銅箔屏蔽變壓器.7.線材上套上磁環(huán).8.改進(jìn)LAYOUT,PCB上所有類似“天線”的地方都用刀割掉試試.9.元件管腳都剪短一點(diǎn).不要架高.10,以上方法都不行的話,重新設(shè)計(jì)吧.
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powercheng
LV.9
29
2011-08-17 19:45
@李紹波
第六條效果大大的好,只是工藝復(fù)雜點(diǎn),內(nèi)外都要加,內(nèi)屏蔽不可短路,并要以引線接至熱地.

MOSFET的D,S并電容,皮法級(jí)別,注意MOSFET的溫升。

銅箔屏蔽變壓器的話,內(nèi)層屏蔽0.9T,不可重合,拉出來(lái)接到初級(jí)地上,外層屏蔽1.1T或1.2T,看是否繞的下。繞不下裹在磁芯外面都是可以的。建議用銅箔而不是線材。增加不了多少成本,但是效果好。外層屏蔽也接初級(jí)地。

 

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yanglingang
LV.3
30
2012-04-25 16:34
@powercheng
1.MOS管管腳套上磁珠.2.有Y電容的話Y電容管腳套上磁珠.3.降低一下開(kāi)關(guān)頻率.4.D,S之間并聯(lián)一只10pF~100PF電容試試.5.加大輸出共模電感.6.銅箔屏蔽變壓器.7.線材上套上磁環(huán).8.改進(jìn)LAYOUT,PCB上所有類似“天線”的地方都用刀割掉試試.9.元件管腳都剪短一點(diǎn).不要架高.10,以上方法都不行的話,重新設(shè)計(jì)吧.

這個(gè)總結(jié)得好。。。

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ranheyue
LV.1
31
2012-10-16 17:20
@powercheng
1.MOS管管腳套上磁珠.2.有Y電容的話Y電容管腳套上磁珠.3.降低一下開(kāi)關(guān)頻率.4.D,S之間并聯(lián)一只10pF~100PF電容試試.5.加大輸出共模電感.6.銅箔屏蔽變壓器.7.線材上套上磁環(huán).8.改進(jìn)LAYOUT,PCB上所有類似“天線”的地方都用刀割掉試試.9.元件管腳都剪短一點(diǎn).不要架高.10,以上方法都不行的話,重新設(shè)計(jì)吧.

師長(zhǎng)的總結(jié)非常有道理,感謝!

CDN測(cè)試法和3m暗室測(cè)試不知有什么不同?

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