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臺系場效應MOS管原廠 免費支持研發樣品測試!!!

 

司坦森集成電路是一家臺系、專業場效應MOSFET設計開發生產商

全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封裝MOSFET.

原廠供應。性價比優厚。

主推料號:

ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…

ST3400,ST34013402….ST3413…

STP9435,STP4953STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…

STC4606,STN4828(專用inverter)

STP6635,STN454,STN442DSTN413,ST16N10,ST13P10ST36N10

STP3052。。。(TO-252/251)

……

原廠現貨,誠招代理、分銷商。歡迎來電垂詢!

司坦森集成電路

Tel:15889558007  

QQ:595639271

全部回復(48)
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STANSON08
LV.5
2
2014-03-26 14:29

現我司隆重推出23封裝的100V的MOS管

N 100V  2A/3A  ST1004SRG  ST1002  ST10E4

可免費提供樣品測試!!!

聯系人 賀生 13684977366

QQ  595639271

 

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STANSON08
LV.5
3
2014-03-27 14:25
@STANSON08
現我司隆重推出23封裝的100V的MOS管N100V 2A/3A ST1004SRG ST1002 ST10E4可免費提供樣品測試!!!聯系人賀生13684977366QQ 595639271 
歡迎灌水!!!
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STANSON08
LV.5
4
2014-03-28 10:06
@STANSON08
歡迎灌水!!!
 

第一步:選用N溝道還是P溝道

為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中,當一個MOSFET接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,應采用N溝道MOSFET,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時,就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET,這也是出于對電壓驅動的考慮。

要選擇適合應用的器件,必須確定驅動器件所需的電壓,以及在設計中最簡易執行的方法。下一步是確定所需的額定電壓,或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大,器件的成本就越高。根據實踐經驗,額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護,使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設計人員必須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍,確保電路不會失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同;通常,便攜式設備為20VFPGA電源為2030V85220VAC應用為450600V

 

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STANSON08
LV.5
5
2014-04-08 11:08
@STANSON08
 第一步:選用N溝道還是P溝道為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中,當一個MOSFET接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,應采用N溝道MOSFET,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時,就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET,這也是出于對電壓驅動的考慮。要選擇適合應用的器件,必須確定驅動器件所需的電壓,以及在設計中最簡易執行的方法。下一步是確定所需的額定電壓,或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大,器件的成本就越高。根據實踐經驗,額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護,使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設計人員必須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍,確保電路不會失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同;通常,便攜式設備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應用為450~600V。 
 

要選擇適合應用的器件,必須確定驅動器件所需的電壓,以及在設計中最簡易執行的方法。下一步是確定所需的額定電壓,或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大,器件的成本就越高。根據實踐經驗,額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護,使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設計人員必須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍,確保電路不會失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同;通常,便攜式設備為20VFPGA電源為2030V85220VAC應用為450600V

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STANSON08
LV.5
6
2014-04-09 10:50
@STANSON08
 要選擇適合應用的器件,必須確定驅動器件所需的電壓,以及在設計中最簡易執行的方法。下一步是確定所需的額定電壓,或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大,器件的成本就越高。根據實踐經驗,額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護,使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設計人員必須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍,確保電路不會失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同;通常,便攜式設備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應用為450~600V。
電子技術培訓待續。。。
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STANSON08
LV.5
7
2014-04-10 15:21

司坦森集成電路(STANSON TECHNOLOGY)是一家開發設計在美國,投片在臺灣的專業開發生產MOSFET的半導體企業。產品廣泛應用于LCD TV/Monitor,網絡設備,手機,數碼相機,對講機,數碼相框,GPS,便攜式DVD,STB,INVERTER,電動馬達等消費類電子領域.目前公司與中聯數源(CEC),銳臻,康冠(KTC),深圳遠峰,松奧科技,旭格科技,數字印數碼科技,廈門蒙發利,惠州九聯,惠科,香港毅力集團等客戶都有很好的合作關系。

詳情請聯絡 賀生 15889558007

QQ   595639271

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STANSON08
LV.5
8
2014-04-11 10:19
@STANSON08
司坦森集成電路(STANSONTECHNOLOGY)是一家開發設計在美國,投片在臺灣的專業開發生產MOSFET的半導體企業。產品廣泛應用于LCDTV/Monitor,網絡設備,手機,數碼相機,對講機,數碼相框,GPS,便攜式DVD,STB,INVERTER,電動馬達等消費類電子領域.目前公司與中聯數源(CEC),銳臻,康冠(KTC),深圳遠峰,松奧科技,旭格科技,數字印數碼科技,廈門蒙發利,惠州九聯,惠科,香港毅力集團等客戶都有很好的合作關系。詳情請聯絡賀生15889558007QQ  595639271
 

為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中,當一個MOSFET接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,應采用N溝道MOSFET,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時,就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET,這也是出于對電壓驅動的考慮。

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STANSON08
LV.5
9
2014-04-14 10:36
@STANSON08
司坦森集成電路(STANSONTECHNOLOGY)是一家開發設計在美國,投片在臺灣的專業開發生產MOSFET的半導體企業。產品廣泛應用于LCDTV/Monitor,網絡設備,手機,數碼相機,對講機,數碼相框,GPS,便攜式DVD,STB,INVERTER,電動馬達等消費類電子領域.目前公司與中聯數源(CEC),銳臻,康冠(KTC),深圳遠峰,松奧科技,旭格科技,數字印數碼科技,廈門蒙發利,惠州九聯,惠科,香港毅力集團等客戶都有很好的合作關系。詳情請聯絡賀生15889558007QQ  595639271
有些冷清。。。
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STANSON08
LV.5
10
2014-04-15 10:05
@STANSON08
 為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中,當一個MOSFET接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,應采用N溝道MOSFET,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時,就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET,這也是出于對電壓驅動的考慮。
 

選好額定電流后,還必須計算導通損耗。在實際情況下,MOSFET并不是理想的器件,因為在導電過程中會有電能損耗,這稱之為導通損耗。MOSFET導通時就像一個可變電阻,由器件的RDS(ON)所確定,并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算,由于導通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會越小;反之RDS(ON)就會越高。對系統設計人員來說,這就是取決于系統電壓而需要折中權衡的地方。對便攜式設計來說,采用較低的電壓比較容易(較為普遍),而對于工業設計,可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關于RDS(ON)電阻的各種電氣參數變化可在制造商提供的技術資料表中查到。

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STANSON08
LV.5
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2014-04-16 14:04
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STANSON08
LV.5
12
2014-04-17 16:38
也可撥打手機13684977366聯絡 賀生
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STANSON08
LV.5
13
2014-04-21 09:52
@STANSON08
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電子業的旺季即將來臨。。。
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2014-04-21 10:17
@STANSON08
也可撥打手機13684977366聯絡賀生
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STANSON08
LV.5
15
2014-04-22 10:46
@紫色的月妖姬
[圖片]
你是做哪一行的呢?
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2014-04-22 12:11
@STANSON08
現我司隆重推出23封裝的100V的MOS管N100V 2A/3A ST1004SRG ST1002 ST10E4可免費提供樣品測試!!!聯系人賀生13684977366QQ 595639271 
**此帖已被管理員刪除**
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STANSON08
LV.5
17
2014-04-23 15:39
@STANSON08
現我司隆重推出23封裝的100V的MOS管N100V 2A/3A ST1004SRG ST1002 ST10E4可免費提供樣品測試!!!聯系人賀生13684977366QQ 595639271 
本司長期誠招代理分銷商!!
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STANSON08
LV.5
18
2014-04-24 14:01
@STANSON08
 選好額定電流后,還必須計算導通損耗。在實際情況下,MOSFET并不是理想的器件,因為在導電過程中會有電能損耗,這稱之為導通損耗。MOSFET在“導通”時就像一個可變電阻,由器件的RDS(ON)所確定,并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算,由于導通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會越小;反之RDS(ON)就會越高。對系統設計人員來說,這就是取決于系統電壓而需要折中權衡的地方。對便攜式設計來說,采用較低的電壓比較容易(較為普遍),而對于工業設計,可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關于RDS(ON)電阻的各種電氣參數變化可在制造商提供的技術資料表中查到。
培訓續: 

技術對器件的特性有著重大影響,因為有些技術在提高最大VDS時往往會使RDS(ON)增大。對于這樣的技術,如果打算降低VDSRDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,從而增加與之配套的封裝尺寸及相關的開發成本。業界現有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術,其中最主要的是溝道和電荷平衡技術。

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STANSON08
LV.5
19
2014-04-25 10:14
@STANSON08
你是做哪一行的呢?
 

在溝道技術中,晶片中嵌入了一個深溝,通常是為低電壓預留的,用于降低導通電阻RDS(ON)。為了減少最大VDSRDS(ON)的影響,開發過程中采用了外延生長柱/蝕刻柱工藝。例如,飛兆半導體開發了稱為SuperFET的技術,針對RDS(ON)的降低而增加了額外的制造步驟。這種對RDS(ON)的關注十分重要,因為當標準MOSFET的擊穿電壓升高時,RDS(ON)會隨之呈指數級增加,并且導致晶片尺寸增大。SuperFET工藝將RDS(ON)與晶片尺寸間的指數關系變成了線性關系。這樣,SuperFET器件便可在小晶片尺寸,甚至在擊穿電壓達到600V的情況下,實現理想的低RDS(ON)。結果是晶片尺寸可減小達35%。而對于最終用戶來說,這意味著封裝尺寸的大幅減小。

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STANSON08
LV.5
20
2014-04-28 10:57

五一效應來了。。。

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STANSON08
LV.5
21
2014-04-29 09:41
 

技術對器件的特性有著重大影響,因為有些技術在提高最大VDS時往往會使RDS(ON)增大。對于這樣的技術,如果打算降低VDSRDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,從而增加與之配套的封裝尺寸及相關的開發成本。業界現有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術,其中最主要的是溝道和電荷平衡技術。

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STANSON08
LV.5
22
2014-04-30 09:50
@STANSON08
 第一步:選用N溝道還是P溝道為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中,當一個MOSFET接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,應采用N溝道MOSFET,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時,就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET,這也是出于對電壓驅動的考慮。要選擇適合應用的器件,必須確定驅動器件所需的電壓,以及在設計中最簡易執行的方法。下一步是確定所需的額定電壓,或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大,器件的成本就越高。根據實踐經驗,額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護,使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設計人員必須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍,確保電路不會失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同;通常,便攜式設備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應用為450~600V。 
誰有三合一電源的相關方案?
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STANSON08
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23
2014-05-04 09:55
@紫色的月妖姬
[圖片]
雁過留聲撒!
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STANSON08
LV.5
24
2014-05-05 10:13
@STANSON08
現我司隆重推出23封裝的100V的MOS管N100V 2A/3A ST1004SRG ST1002 ST10E4可免費提供樣品測試!!!聯系人賀生13684977366QQ 595639271 
現在出口歐美的電子料一般要SGS還是ROHS認證的多呢?
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2014-05-05 22:22
@STANSON08
歡迎灌水!!!
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STANSON08
LV.5
26
2014-05-07 10:26
免費測樣品,包郵哦!
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STANSON08
LV.5
27
2014-05-09 10:58
@雅創威劉順練
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沒見過呢
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STANSON08
LV.5
28
2014-05-12 09:51
@雅創威劉順練
**此帖已被管理員刪除**
深圳---東方威尼斯
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STANSON08
LV.5
29
2014-05-15 15:26
@雅創威劉順練
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為何要清倉處理呢?
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STANSON08
LV.5
30
2014-05-16 10:16
文博會,你去了嗎?
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STANSON08
LV.5
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2014-05-20 16:30

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