現(xiàn)在做了一個(gè)1500W的DC-DC，用的TL494芯片，采用的圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)圖原理如下

    各采用了4個(gè)MOS管進(jìn)行并聯(lián)，PCB驅(qū)動(dòng)圖如下

    右側(cè)的為圖騰柱驅(qū)動(dòng)，上側(cè)為MOS管。現(xiàn)在在調(diào)試時(shí)，我先各并聯(lián)兩個(gè)進(jìn)行調(diào)試，即安裝了Q7,Q9,Q3,Q4四個(gè)MOS管，可是發(fā)現(xiàn)Q7比別的都熱，溫度高好多。后來我把Q9去掉換上了Q10，發(fā)現(xiàn)還是Q7熱。然后我把Q7換了個(gè)管子，發(fā)現(xiàn)還是Q7最熱。這幾次其他管的發(fā)熱都挺均衡正常。

    然后又試著各并三個(gè)管子，發(fā)現(xiàn)左側(cè)和右側(cè)各有一個(gè)發(fā)熱特別厲害的，具體的哪個(gè)忘掉了，其余的發(fā)熱都正常，我問了些人，他們也沒解釋太清楚，說最好不要并?？晌铱春枚嗳嗽O(shè)計(jì)的電路都是MOS管并聯(lián)，也沒出現(xiàn)什么問題。

    查了些資料，這個(gè)也是每個(gè)MOS獨(dú)立電阻驅(qū)動(dòng)的，所以搞不懂問題在哪里。請(qǐng)各位經(jīng)驗(yàn)豐富的高手給分析分析~小弟感激不盡~

    PS：吸收尖峰的電路設(shè)計(jì)時(shí)忘了，之后直接在板子上硬焊上去，但是發(fā)熱問題還是一樣，沒有變化。

3月30日實(shí)驗(yàn)日志：

    根據(jù)各位大大的指點(diǎn)，進(jìn)行以下嘗試：

1.我先將驅(qū)動(dòng)線調(diào)整一致進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證是否是驅(qū)動(dòng)線的問題

  我從一個(gè)公共點(diǎn)直接接電阻到mos管，電阻兩端的引線長(zhǎng)度相差不多，所以這樣應(yīng)該是到MOS的距離都一樣了。

試驗(yàn)結(jié)果：Q7依然最熱。

2.我對(duì)各獨(dú)立驅(qū)動(dòng)電阻的阻值進(jìn)行了調(diào)整，由10R換成20R

試驗(yàn)結(jié)果：Q7依然最熱

3.在之前的測(cè)試中，我對(duì)各管的GS電壓都有記錄，發(fā)現(xiàn)Q3與Q4的G端電壓相差大概0.1V，而Q7與Q9相差0.4V，即Q7比Q9低0.4V，我感覺可能是這個(gè)的原因，所以直接將驅(qū)動(dòng)電阻去掉了，其G端直接互聯(lián)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)

試驗(yàn)結(jié)果：這次實(shí)驗(yàn)有所發(fā)現(xiàn)

（1）在不帶載時(shí)，Q7與Q9都不是很熱，幾乎一致，而之前的情況是不帶載時(shí)Q7就很熱；

（2）在帶載時(shí)，Q7依然最熱，問題還沒解決

今天進(jìn)行了這些嘗試，但是問題依然存在，請(qǐng)各位幫忙分析分析~