專家倒是不敢當，我個人覺得MOS管的選型要考慮有如下幾點:

1.VDS:對MOS管的耐壓要求的考慮是首要的，一般來說MOS管的耐壓要比實際最高工作電壓高10%以上；

2.ID：我們考慮的ID一般要最少按MOS管工作在100度結溫的ID選擇留有余量；在PWM電源，工作電流要按峰值電流計算，而不是平均電流；

3.開關參數，驅動要求；

4.安全區域和熱阻的復核，一般來說符合了第2點這點比較容易通過；

5.效率要求：有時候我們選擇的MOS管在良好散熱的情況下完全可以滿足安全性和壽命的要求，但是可能達不到效率要求，比如金牌電源的效率要求，這個時候我們需要選用電流更高等級或開關參數更快的MOS管。

6.封裝散熱要求，有時候就算前5點都達到要求了，但是手體積和散熱條件的影響我們不得不選用損耗更小的MOS管。

mosfet的RON，是溫度的正函數，溫度100度時，RON會增大到常溫25度時的2倍，所以其ID選擇要算溫度余量。

所以更多的時候選擇mosfet，不是選擇它的IDmax，而是選擇其RON。

原來都有相關性啊

其實，看EAS更多的不是因為你帶了多少感性負載，而是回路中有多少雜散電感，這些雜散電感不參與正常的能量傳輸，而是在器件關斷的時候，強制對器件放電。對于某些應用，例如逆變，系統設計的夠好，某些安全特性參數再差的管子也是可以用的很好的；而如果方案設計的不好，例如開機大電流沖擊，要看的MOSFET參數就不是RDSON，也不是EAS，反而是SOA了。很多器件，尤其是國產器件，SOA都是拿熱阻和內阻算出來的，他們根本就沒測試出來過，甚至也不懂怎么測試。對于器件的國產化，除了廠商要認真做，器件使用者也要像鐘工這樣的明白人啊！

高手啊，確實如此。有很多時候管子明明保護了，在保護之前還是好的，可是保護之后卻壞了第二次都開不起機了。

我不是高手哈，略懂皮毛。用管子保護其實還是拿管子來扛一段時間的沖擊。沖擊過后，設計的不好的管子，內傷的更厲害而已。這個扛沖擊的能力是和很多參數是矛盾統一的。有很多人喜歡用IR的老管子，IR的老管子長的結實跑的慢賣的貴，這都是系統設計不動腦筋不得不接受的妥協。

請教一個問題，MOS工作溫度高，工程師通常會在MOS-2個電極上并電容或電阻來處理改善MOS的工作狀態，（MOS封裝造成的電容），可以針對MOS的改善阻值或容值同時給處理對應的電阻或電容嗎？

有時候會在GS并電容改變GS和GD電容的比值減小米勒振蕩，也會在DS加電容或RC吸收漏極尖峰。

一般50%以下。