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光耦ACPL-337J能驅動SiC器件SCH2080KE嗎？

各位工程師，你們好：

    我遇到一個問題，想請教下各位。我計劃采用SiC器件SCH2080KE做一個實驗平臺，要求驅動電路具有保護功能，開關頻率為100kHz。擬采用光耦ACPL-337J作為驅動芯片。附件是SiC器件和光耦的數據手冊。337J的數據手冊中，很多參數都是在10kHz開關頻率的情況下給出的，所以不清楚是否它能驅動100kHz的SiC器件。請問該從哪些方面考慮這個問題呢？

附件在1樓。

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2014-05-22 23:39
@ljxnuaa
sch2080ke.pdfAV02-4390EN_DS_ACPL-337J_2014-05-09.pdf

337推薦應用與IGBT，里面有些引腳功能專門用于IGBT的過流保護。

最大延遲時間250ns，對100Khz來說有點偏大了，建議重新選型。

SIC驅動電壓，高電平建議在16到18V，低電平給個負壓，負3V左右。

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ljxnuaa
LV.1
4
2014-05-23 21:23
@legendacer
337推薦應用與IGBT，里面有些引腳功能專門用于IGBT的過流保護。最大延遲時間250ns，對100Khz來說有點偏大了，建議重新選型。SIC驅動電壓，高電平建議在16到18V，低電平給個負壓，負3V左右。

嗯啊，本打算用337做SiC器件的驅動，可以用它的過流保護功能。如果采用數字控制，本來就有1.5個開關周期(15us)的控制延時，250ns應該影響不大吧？請問你能否推薦個高頻驅動的光耦，關鍵是有過流保護功能的。

謝謝！~

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2014-05-24 00:22
@ljxnuaa
嗯啊，本打算用337做SiC器件的驅動，可以用它的過流保護功能。如果采用數字控制，本來就有1.5個開關周期(15us)的控制延時，250ns應該影響不大吧？請問你能否推薦個高頻驅動的光耦，關鍵是有過流保護功能的。謝謝！~
250ns是驅動信號上的延時，對100K來說是稍大了------死區時間不好設計（假設你用的是橋式電路：全橋、半橋）。
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ljxnuaa
LV.1
6
2014-05-24 15:35
@legendacer
250ns是驅動信號上的延時，對100K來說是稍大了------死區時間不好設計（假設你用的是橋式電路：全橋、半橋）。
我確實是用的全橋電路。實驗平臺用到的SiC器件很多，需要做短路保護，所以想到用帶過流保護的光耦。
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