1）如下為仙童一份介紹Vds資料截圖，在反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，當(dāng)MOSFET關(guān)閉后Vds會(huì)出現(xiàn)尖峰電壓，理論上來(lái)說(shuō)是由于初級(jí)測(cè)漏感造成的，既然后漏感肯定就不能耦合到次級(jí)去，但是資料介紹的波形中，次級(jí)測(cè)的電流波形為什么會(huì)受到影響，此時(shí)次級(jí)測(cè)電壓應(yīng)當(dāng)被輸出電壓鉗位？
2）
反激中Vds震蕩理解
全部回復(fù)(9)
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@yhtfeel
漏感能量并沒(méi)有耦合到次級(jí)，漏感能量就如你給的圖中一樣，在阻尼震蕩中消耗了能量！但是再震蕩過(guò)程中，引起了磁化電流的震蕩，進(jìn)而引起次級(jí)電流的震蕩！
初級(jí)測(cè)的電流為Ipk=Id= Im（勵(lì)磁電流） + I耦合；你的意思是說(shuō)由于漏感震蕩的過(guò)程，引發(fā)Im勵(lì)磁電流的變化，那么耦合電流是怎么變化的。。。？
既然波形能耦合過(guò)去，為什么能量不能傳遞過(guò)去，（當(dāng)然傳遞過(guò)去了又與漏感的定義上存在分歧）
請(qǐng)?jiān)斀?，謝謝。
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