LLC電路發(fā)展到現(xiàn)在,大家多半用的是在200K以下的開關(guān)頻率,主要受限于MOSFET。
傳統(tǒng)的MOSFET是半導(dǎo)體硅做的,而硅MOSFET在高壓600V的時候,工作頻率不能跑高,
跑得太高使得管子發(fā)熱很嚴重。這是硅材料的物理特性決定的。新的材料-氮化鎵MOSFET
將為我們解決這問題,這種材料的MOSFET現(xiàn)在被各大廠商在開發(fā)中,INFINEON, ST, SHARP.
ROHM,IR等均有相對應(yīng)的產(chǎn)品將問世,這一趨式無法改變。
氮化鎵有如下好處,
1,可以跑高頻,100K---10M開關(guān)頻率(同時高頻后并不會像硅MOSFET那樣帶來過多的熱問題)
2,氮化鎵材質(zhì)的MOSFET體內(nèi)寄生電容很小,米勒電容也很小。所以開關(guān)損耗會很小.
3,氮化鎵MOSFET體內(nèi)沒有像硅MOSFET的寄生二極管,但電流可以從S流向D,通過自身的電子層導(dǎo)通,因為沒有恢復(fù)損耗的問題。
所以說氮化鎵的出現(xiàn),解決了我們電路上的高頻問題,氮化鎵可以工作到最大10M HZ的頻率。
且高頻后不像硅MOSFET那樣帶來額外的熱問題。
輸入:400V
輸出:12V 20A
500KHZ
效率》97。5%
MOSFET: TPH3002 Rds(on)=0.29歐(9A,無需散熱片)
驅(qū)動IC:NCP1397
輸出同步整流
體積:30mm * 90mm
total 250W
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更多資料查看 http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX
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氮化鎵MOSFET LLC方案,250W無散熱片 97%效率 400V-12V.pdf
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