工作頻率100K

輸入：32-100VDC,   輸出：15V/1.5A,18V/0.1A

15V帶載1A時(shí)，管子溫度開始上升,這屬于正常？

Q1圖中沒標(biāo)出來，是IRF640N.

芯片地線干擾。

應(yīng)該是低壓輸入時(shí)的波形吧？這種像是帶載能力不足，造成的。

從Vgs上，很規(guī)律的大/小波驅(qū)動(dòng)，看著很像電流檢測(cè)異常導(dǎo)致的！

(1)把開關(guān)管S端的電壓和芯片Vsense的波形也發(fā)上來看看！

(2)上面兩幅圖Vgs和Vds怎么對(duì)應(yīng)不上，最好上Vg&Vd、Vg&Vs的雙通道波形；

(3)Comp腳電壓是不是沒有低過5.8V？

(4)D2/D3是不是肖特基的？Irr參數(shù)大么？

是低壓輸入時(shí)測(cè)試的波形，但是輕載的時(shí)候也是這個(gè)波形

C15電容0.1μ太大了，換個(gè)471的

謝了，改了電容后驅(qū)動(dòng)波形正常，目前的問題輸入55V時(shí)MOSFET管VDS高至150V，加了RC吸收沒反應(yīng)。

看下次級(jí)二極管峰值，看要不要調(diào)下砸比，或改下變壓器工藝，減小漏感

很正常，RCD吸收加大R

初級(jí)電阻改為：2*6.8K，C=472,次級(jí)二極管并一個(gè)472電容，VDS峰值降為127V。其他參數(shù)組合測(cè)試后電壓無法降低。

改匝比

IRF640耐壓200V，只有你效率可以接受，這個(gè)尖峰沒有問題。100KHz的開關(guān)頻率，C15用471pF都偏大，布線好的話，200pF足夠了，否則短路的時(shí)候Vds會(huì)更大。

謝謝，匝比改大還是改小？

R7改為470歐，C15改為200PF。

另外15V帶反饋輸出帶滿載時(shí)另一路18V輸出高至30V，如何解決，多多指教下！

加假負(fù)載