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是不是貼錯附件了?怎么是2596的資料?既然提供2576,2596,順便問一下2576-5.0和2596-5.0分別什么價格?

我是新手,看到這樣的號召貼,我頂~~~~~~

個人覺得Onsemi、IR、Fairchild、Vishay、ST這幾個廠家在分離器件上各有千秋,但是從樣片和供貨上來看,Fairchild幾乎不提供樣片,Vishay很難申請,IR相對容易,Onsemi最方便,ST的沒有試過,不過供貨上這幾家差不多.

一般比較MOS的標準是用RDS(ON)*Qg,目前APT最新一代的MOS做的最低.肖特基,一般只能做到150V以下,200V就算高壓了.APT的現在是做到200V/200A,SOT-227封裝.至于再高的電壓,那就是SIC肖特基了,現在最高是做到1200V,20A,如果需要更大的電流,那可以讓生產廠家做更大的封裝.另外~~偶也算是APSC的,偶的畢業設計是跟陳老師,師兄現在還在學校里么,我姓徐,xlg@sz-sunny.com

IR目前在RDSON和驅動電荷量上是最好的,基本上要先進對手1年半(對比一下數據就知道).在ZVS領域有獨到的產品.
驅動電荷低;器件開關速度就快,開關損耗就低.同樣體積下器件忍受電壓電流能力最大.
IXYS大電流FET強,但;大電流FET內的寄生柵電阻大;驅動電荷大.ZVS領域和IR有差距.
APT和IXYS一樣,有大電流器件,但性能差.價貴.
普通FET如IRF830/840;仙童的和南韓的最便宜.ST次之.
低壓FET NEC和IR做的最好.不過;建議別用日貨.
IGBT有西門康,西門子,三棱,東芝,IXYS,APT,仙童...各公司各有特色.要根據用途酌情選擇.
整流管:從特性上講;肖特基最好的是日貨(郁悶),IR次之.從電壓電流講,IXYS和IR的最大(150V400A),小快恢復硅管非利埔和摩托羅拉最好,大電流快恢復IR最好(1200V的大電流高壓管達到35ns).硅橋是GI和三肯/新電源的最好.
高壓驅動:IR目前還沒有實際的對手.
這是我使用中的一點體會,希望對大家有用.
器件好用,一方面在器件本生,更重要的是工程師的技術和經驗.如果處理不當,好特性有時侯對某些指標會起壞作用如EMI等.
希望各代理商本這實事求事的態度發言,不要抄做.

我只討論一下一些技術問題:
1:考量MOSFET要把導通損耗和開關損耗聯系起來看,同樣體積下器件承受電流的能力是和總損耗和耗散功率有關系,直觀上看僅僅和溫升有關系,用水冷卻肯定能比用風冷卻承受更大的電流.而且MOS和IGBT一樣,開關損耗和導通損耗是一個矛盾的關系,在這點上各個廠家采取的策略也不同,有側重于加快開關速度的,有側重于減少導通損耗的,以導通電阻為X軸Qg為Y變量的曲線是一條反比例曲線.所以對于確定的一些電路,只能說一些管子最合適.至于說IR的參數領先對手一年半,個人覺得不太可能,在這個行業那家的水平都比較接近,我找個APT不太擅長的小功率的管子和IR比較一下好了,APT5024BFLL(500V/22A)和IR460(500V/20A),這兩個管子應該具有可比性1100287862.pdf1100287880.pdf,前者是0.24歐姆*43納庫,后者是0.27歐姆*210納庫.也可能IR有新一代460,那也可以傳上來比較一下.

2:再說說快恢復,快恢復管的特性和上面比較類似,它的恢復時間和導通壓降也是反比關系,不同的特性對應的應用場合也不同,一般來說高速的適合PFC,低導通壓降的適合輸出整流,也有的廠家做的快恢復趨向于那兩點的折中.

當今器件的技術不斷更新換代,功率器件也是越做越細,這里指的是應用場合,不同系列的器件的應用場合更加專業,通用性的器件越來越少,性能最好的器件不一定是最合適的.不過不管怎么發展,追求最好的性能價格比永遠是不變的.

兄弟你的確搞錯了.看看這個.460是IR二十年前的產品.1100527605.pdf
它比460的電流大!TO-220的
再看看對硬開關和軟開關分別優化的產品:

的確不錯,220封裝,價格應該很好把,10塊錢左右?