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CooLMOS與"CoolMOS"之不同

國內半導體器件經過多年的研究學習,目前國內半導體設計公司逐步學會了部分產品的技術,產品也陸續推向市場。

VDMOS,已經在2007年左右實現國產化,目前已經占有不少國內市場份額,

IGBT NPT planner工藝產品已經殺的及其血腥,基本沒有利潤可言了。

CoolMOS這兩年也在國內陸續國產化,分為Trench CoolMOS和 Multi-EPI CoolMOS,兩種工藝,

領軍公司:

  Multi-EPI CoolMOS  工藝 : 英飛凌  FC

  Trench CoolMOS   工藝: Toshiba

國內同樣也擁有兩種工藝產品 

目前主要是  

Multi-EPI CoolMOS  工藝:超致半導體

Trench CoolMOS   工藝:華虹平臺公司(NCE,龍騰。。。。。。。)

但是CoolMOS之間也是有差異的,有時候DC參數看是比較接近,實際使用過程中同樣會遇到不同的問題。

?Multi-EPI工藝
該工藝也是開發最早,做成熟的工藝,英飛凌一直采用該工藝生產其CoolMOS,后續跟上的還有ST,FC,  Super Semi(超致半導體)

?Deep-Trench工藝
?該工藝是通過另外一種相對簡單的工藝來實現超結的一種手段。目前主要有Toshiba,華虹平臺。

CoolMOS工藝差異.pdf

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sofeat
LV.3
2
2017-01-04 16:07
海飛樂技術CoolFET?, 超結MOS免費送樣,由IR&VISHAY技術團隊回國創業。
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jeffyang
LV.1
3
2024-11-13 22:51

代理全系列超致半導體,Multi-EPI  COOLMOS:就是外層多延工藝,工藝復雜,設計成本高,優點是一致性強,長期工作下,穩定好。歐美現在都是外層工藝,目前超致COOLMOS,最齊全,500-900V均批量出貨。 13917919240,有需要的可微信加我,并備注。

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