本逆變器基本配置如下：

1.前級功率管：用的是后羿半導體150V/200V大電流系列兩種工藝的MOS管對比，第一種是HY1920P,傳統(tǒng)工藝，新鮮出爐的，還冒著煙呢。第一版試驗品，電壓跑高到250V了，所以內(nèi)阻偏大到30mR了，下一版會調(diào)整到210-220V,內(nèi)阻22-24mR，下面僅僅做測試。等調(diào)好了再送樣品。第二種種是采用后羿自主研發(fā)的具有極低內(nèi)阻，極快開關速度，極小QG的新一代MOS管，型號是HY065N15P,標稱150V，內(nèi)阻實際只有5mR。

2.前級驅動IC:SG3525+MIC4452

3.變壓器：一共4個，每個設計功率1250W,磁芯為PQ50。初級28*0.2mm銅皮4T+4T,次級28*0.2mm銅皮8T，這次因為測試快速MOS管，所以設計頻率為開關頻率60K,因為匝數(shù)少變壓器空間只用了55%，還有45%是空的，所以磁芯余量充足。

4.高壓整流管：RHRG7560*4;

5.后級功率管：80N60，一共8只IGBT;

6.后級驅動的主芯片：EG8010+IR2110；

7.兩種工藝MOS管大比拼。

這里說明下的是，EG8010用了非官方的接法，已經(jīng)做到每路驅動都是10MS工作在50HZ方波，10MS工作在SPWM高頻載波，這樣的好處是可以消除過零點的振蕩，還可以做到4路功率管發(fā)熱和壽命均等。我這種接法的優(yōu)點是已經(jīng)不需要另外用4081做死區(qū)，死區(qū)時間還是由EG8010設置。

先上個板子的圖片吧，以后再詳細介紹：