上面的測試波形我用的是英飛凌一款55A 600V的TO252封裝的分立IGBT測試的，

實際上用的是一款英飛凌10A的IGBT模塊，這倆個月測試分立IGBT怎么都不會燒，IGBT模塊一上電就燒.....或者工作個半小時就燒。。（我保證沒有引腳連線錯誤或者短路之類的錯誤。。。）我真的是無語了。。。

你看一下你管子最大能夠承受的didt是多大。這段時間內你的下管應該有導通，

請問我之前一直以為是密勒電容引起的寄生導通，可是現在我把這個上管導通造成的誤觸發電壓降到了3V以下，要低于IGBT的Vge(th)=5.8V，為什么下管還是導通了呢，雖然我覺得從波形上看確實下管有導通的現象。

另外我這個IGBT的說明書上并沒有標注didt的相關參數，只有兩個電流參數 一個是最大直流電流是10A，另一個是Repetitive peak collector current tp=1ms，ic=20A，請問這種沒有給出Pulsed Collector Current參數的，怎么估算...di/dt

我用的那款分立的IGBT給出了一個參數 Pulsed Collector Current 1 @ T C = 25°C 是110A

這是不是說明這個IGBT的耐瞬間電流大，所以我用這個分立的IGBT做測試一直沒事，但那個IGBT模塊沒有給出這個參數，峰值電流（1ms）為20A，可以估計出這個IGBT的耐受性要差得多，所以容易燒毀？

會不會是死區太小了？我們做的兩款電源，死區分別為3微秒及10微秒。還有脈寬是不是不合適？

2us的死區，從波形上看，一管導通的時候，另一管柵極已經是0V了，應該可以把

而且我試過了，增大死區并不會改變這個脈沖電流

將柵極電容從2.2nF增加到10nF 電流從30A下降到10A 誤觸發電平從2.6V下降到1.3V

請問論壇大神你們IGBT都是正負壓驅動嗎- -....我在英飛凌的官網上看小功率是可以單電源驅動IGBT的，于是我用了IR2233，然而我這倆個月根本成功不了。。。單電源驅動IGBT各種雪崩。。

我用的都是正負電壓驅動

英飛凌的文檔表示100A以下出于成本要求，都可以使用單電源驅動IGBT。。

哎╮(╯▽╰)╭ 畢竟我還是太菜，單電源驅動IGBT我真是搞不定

不過我看英飛凌的一些官方demo，單電源驅動IGBT的只有一款還不到1kw的產品，

其他超過1kw的產品都是正負電源，感覺被英飛凌騙了

我把Ron從100Ω增大到200歐姆，柵極誤觸發電平基本不變，但是電流從10A下降到6A

論壇大神們有誰成功搞過單電源的IGBT驅動的....

在Ron=200Ω的條件下，使用有源鉗位技術，誤觸發電平降低到1V，瞬態電流降低到4A，好吧，我盡力了，單電源IGBT驅動這個問題我真的是避免不了......

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我使用100A-300A的IGBT模塊時一般將Rg設置為幾歐姆到十幾歐姆。

使用單電源時最好加有源鉗位。

IGBT大于150A時最好使用雙電源，不考慮成本時可以雙電源+有源鉗位，有些專用驅動芯片集成了有源鉗位。

樓主，把你的驅動電路原理圖貼出來吧，用一個穩壓管和電容很容易產生負壓的

這方法可以，效果比較好的，用一個穩壓管來產生負壓，節約成本，樓主可以考慮。

我更傾向于你的橋臂出現了直通的現象，才會導致管子損壞。

可是我用的IR2233，自舉的驅動方式對于正負電壓不太友好，現在只能用有源鉗位往下走了，英飛凌和仙童我都看到了有源鉗位的芯片，但是IR2233的電路實在太簡單了，實現成本也低。

不知道你試過把IR這種自舉方式改造成雙電源沒有，一方面假設15V供電的話，輸出5.1V的負電壓，那么你正電壓就只有9.9V，并且高端的負電壓我試了很多論文上的方式，沒有成功過，高端的負電壓不知道是因為電阻電容不合理還是什么原因，反正沒有成功輸出過

降低dv/dt，可以改善米勒影響。要想徹底消除米勒影響，只能加合適的負電壓。

我最近也在糾結這個問題，我是用k50t60的管，頻率27k，幾乎空載，100w的時候都會發熱，還有點嚴重，全橋驅動，死區設置3us，實際測試只有2us，從波形看沒問題，輸出帶有lc電路，在關斷的時候還有續流，直流母線輸入電壓是整流后的310v，我做了一下實驗，發出的熱量大概是40w，而我的輸出才近100w，會不會是開關頻率太高，k50t60的管最大可以多大頻率

1、加大死區時間；

2、10A與55A的驅動電流是不一樣的；

3、驅動電流在資料上有很明顯的差別的；

4、實踐出真知，媳婦會熬成婆的。