英飛凌第四代IGBT芯片的最高允許結(jié)溫是150℃，芯片的最大結(jié)溫是175℃，第四代IGBT芯片的額定電流是在100℃下定義的，如FF200R12KT4，100℃@200A，在散熱條件允許的情況下，IGBT模塊底板最高允許溫度也是接近150℃的，但是，一般情況下散熱條件很難達(dá)到散熱效果。如果是要設(shè)置溫度傳感器的保護(hù)點(diǎn)，建議英飛凌第四代IGBT模塊的溫度保護(hù)點(diǎn)設(shè)在80-90℃。

英飛凌第四代芯片技術(shù)