從波形上看，波形上有尖峰的負電壓。

至少可以證明，你的電壓探頭被干擾了。

采用測量紋波電壓的方式（彈簧探頭，或者去掉探頭夾子，用針尖和針尖旁邊的“地”點到DS引腳測試），測試下 DS直接電壓，更新圖片再分析，

如果尖峰還是較高，可以在D腳上串聯1個小磁珠抑制電壓尖峰，還可以講驅動電阻更新為33Ω左右。

摘掉探頭帽重試了一下，低臂D極是沒有負尖峰的，但是G極受震蕩干擾確實有負尖峰，下面是低臂D級波形(20V 0.9A輸入)：

由于電路要跑到8A，所以串磁珠可能不太好使

要工作到8A，那么電感電流肯定是連續的，關斷的時候電流很大，再要減小尖峰只能從MOSFET的DS之間串聯RC或者RCD的吸收了。

硬開關的工作，會產生尖峰，是正常的。

還可以在Q1-D和Q2-S之間放上一個薄膜電容（類似金屬化聚丙烯電容），1uF或者2.2uF，提供尖峰電壓吸收作用。

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電流是連續的，然而尖峰發生在Q1導通瞬間，MOS關斷時沒有明顯尖峰。您兩個方法我都試了(RC吸收用22R,100nF)，尖峰會矮那么一丁點但還是超過輸入的2倍。這個尖峰帶來的最嚴重問題是干擾G極波形(見上面低臂G極波形的負尖峰)，燒前面的驅動芯片和CPU，我已燒了兩塊CPU

MOS寄生二極管的恢復時間和結電容很可能是影響尖峰的關鍵因素，以前看到一個帖子說RC吸收反而使波形變壞我也遇到過

我覺得肯定有解決之道，否則全橋逆變就沒法做了，那個輸入電壓可是接近400V的

下管Q2應該是提前關斷的吧，關斷了后，并聯Q2的二極管D6續流。

可以試試D6和D2用肖特基管3個200V的串聯，看看是否因為二極管的特性問題造成的。

對，一般來說Q2肯定要提前關斷的，這就是死區的目的。我試過縮小死區以短時間直通為代價確實可以消除尖峰，但這不是辦法。D2和D6是我為了增強死區續流能力而添加的，一般是不需要的(寄生二極管可以續流)，我也沒看別人這么用過，但去掉D2和D6也不能改善尖峰

這問題困擾我許久，再等一天解決不了我就去花錢請老師了。一樓的失敗的PCB我還剩幾塊，誰要的話我可以免費奉送，不過應該不可能有人要吧

我瞎猜一下，

下管續流的時候，Q1打開，電感的電流減小變成增加，D6還要反向恢復時間，這個瞬間Q1未完全打開，和D2并沒有把電感續流的這個電流充到Vin里面去。

導致這個尖峰很高。

如果尖峰是由于D2的速度不夠快？應該在D2上并聯RC會有點效果的。

或者在Q1-D和Q2-S上增加吸收電容，會有效果。

又按您的方法在D2上并聯RC試了一下，還是沒用。Q1-D和Q2-S上接CBB電容前天試了，Q2-D波形會變平，但尖峰基本沒受影響。在這個電路上各種怪招我都試過，有人說尖峰是VM寄生電感引起，我試過在Q1-S和Q2-D上接CBB電容，沒用

準備找老師去，若能解決再來分享解決方案

有幾個問題需要搞清楚一下：

1輸入電源是怎么來的，測試輸入波形了沒？

2輸出加電感的目的是為了什么？

3為了消除mos的寄生電感電容的影響，用二極管和電容哪個比較合適？

4TVS是吸收瞬間能量的，用在此處是否合適？設計應用場合如何？車載還是工業，消費類？

5 60khz高頻下，開關頻率對mos性能有何影響，遲滯和反應時間需要如何處理？

我也遇到過類似的問題，在低端MOS的VGS信號關閉后，又有一個干擾突起，MOS管的米勒效應。

改善的方法：

1，在驅動電路里加有源鉗位電路，應該是最有效的方案；

2，增加上管柵極驅動電阻，減緩上管導通速度（會降低效率，因此需要折中考慮）；

3，在MOS管的G與S端并電容，吸收掉一些米勒效應的沖擊（同樣減緩開關速度，會降低效率，因此需要折中考慮）；

4，加RDC吸收網絡；

R2,R3用1M的電阻?

我只想知道是不是真的

D1,D4方向不對

D2，D6可以不要

R2，R3太大

D8, D9普通穩壓管， 15V就好

幾天沒來多了那么多回復，非常感謝大家

其實這是一個很經典的問題，我在另一個電源網上看了一堆大師的分析，總的來說這個問題非常棘手，特別是電壓高電流大時，尖峰的原因和解決方法不是一兩句能說清楚的

現在正在打一塊新的測試板，有結果了再來發帖

我有類似產品經驗，電壓不高，但電流是幾十安的，也沒有這樣的波形