應該是第1種會好，建議反饋繞組和非反饋繞組同時多股并饒，不要分成幾層。

目前實驗下來也是第一種會更好一些，如何從理論上分析兩種繞法的差異??？

 

匝數，表面積，磁通等等。

習慣瞎猜。

看下http://www.cubesun.cn/bbs/87928.html。

呃，這樣好么

懶了一下下，木有解釋清楚。

可以淺顯的把這幾個詞連起來組成1段話：

變化的磁場通過相同的線，相同的線與磁場方面成切面，面積差不多，能量也差不多，耦合當然就好了。

所以2組的電壓差越小（5V,5V,7.5V），耦合越好，電壓差越大（5V,15V,24V）耦合越差。

這個案例里面：

反激電源，在放能量的時候，電感里面的磁場能量轉換成電能，磁場變化的時候，離磁芯越近，磁力線越密。

1和2的2種情況 下，1對應的△磁通差別小，2對應的△磁通大，所以這么解釋耦合的差異。

 

第一種效果好，zhouge也從磁元件工作原理上解釋原因了。

我補充一下，就是在非反饋繞組輸出的加上死負載，電壓會好一些。至于加多大負載，你可以根據你要把電壓穩到什么程度和你對整機效率的要求。

這個是實用派的做法。順便把電感量做大，盡量在工作中是連續模式。