司做了一款低壓數控電源，基本指標如下：

輸入12VDC

輸出四路：-5V~5V，電流-40A~40A。

        由于端口有漏電流要求，采用直流繼電器成本太高，就采用MOSFET代替繼電器。MOSFET型號為IRF1324S-7PPbF，這款MOSFET在公司當繼電器用有三年左右的經驗，一直沒有出任何過問題。但在這個電源上使用時，部分單板的三通道出現IRF1324S-7PPbF嚴重發熱燒毀的現象。詭異的問題就出在這里，幾千塊板 老化時沒有一個出現燒IRF1324S-7PPbF，客戶使用三個月后陸續出現了近100個單板出現IRF1324S-7PPb嚴重發熱燒毀的現象。

對出問題的單板進行檢查發現:

①   出現問題的單板全部燒的都是三通道（每個單板四路輸出，出現問題的都是第三路）。

②   所有燒IRF1324S-7PPbF的單板最后都是工作在電流輸出負40A電流時。

②MOSFET發熱溫度估測在200℃左右，且為持續發熱。單板上MOSFET下面的銅皮被燒的翹起，MOSFET本體發黑裂開，但沒有炸裂的跡象。

③檢查整個單板發現損壞的器件只有一個，就是這個當繼電器用的IRF1324S-7PPbF，包括它的驅動電路在內，沒有一個其他器件損壞，更換IRF1324S-7PPbF，單板可以正常工作，一兩個月都沒有問題。

④檢查損壞的IRF1324S-7PPbF：有一半以上是柵極對漏極出現低阻抗（幾十到幾百歐姆），柵極對源極高阻，漏極對源極高阻。其中找到一兩個剛發熱就發現的IRF1324S-7PPbF，檢查結果為：柵極對漏極出現低阻抗（幾十到幾百歐姆），柵極對源極高阻，漏極對源極短路。

實際使用電路如下：

電路的拓撲是一個H橋，MOSFET放在輸出端口，充當繼電器的功能。

注：IRF1324S-7PPbF是當繼電器在用，電源開始工作后，他的驅動一直拉高，所以驅動電阻為1K的情況下也能正常導通。實測IRF1324S-7PPbF驅動電壓在6V~9V之間浮動（源極電壓不固定）。

實際檢測發現三通道與其他通道相比只有一點差異

實驗室故障模擬:

發現只有將IRF1324S-7PPbF的驅動拉低到門限電壓附近，讓它工作在線性放大區才有可能導致IRF1324S-7PPbF發熱升溫到200℃以上：電源輸出+40A時體二極管都可以提供續流通路，MOSFET的溫度會偏高但不會超過70℃；電源輸出-40A時，體二極管截止，電流必須從MOSFET通過，工作在線性放大區的IRF1324S-7PPbF會嚴重發熱,實測溫度接近200℃，MOSFET下面的焊錫融化。(規格書上IRF1324S-7PPbF最高結溫為175℃)。

綜合上述問題現象和后續檢測可以得出以下結論：

①   電路的原理沒有問題（如果電路原理有問題，不會只壞三通道）

②   IRF1324S-7PPbF發熱是驅動不足，工作在線性放大區導致的。

③    

推測損壞原理為：

        IRF1324S-7PPbF由于出現某種異常導致柵極對漏極擊穿，呈現低阻抗。驅動電壓被分壓，柵極只有3V左右的電壓，IRF1324S-7PPbF工作在線性放大區，電源輸出+40A時體二極管續流，MOSFET發熱但不會燒毀。電流輸出-40A時，體二極管截止電流通過工作在線性去IRF1324S-7PPbF，出現嚴重發熱。

注：

1.（IRF1324S-7PPbF門限電壓為2.2~3.9V，實測4.1V以上IRF1324S-7PPbF可以導通，發熱正常）

2.焊錫熔點在183℃左右，能將焊錫融化，說明IRF1324S-7PPbF發熱的確到了200℃左右，熱成像儀測試數據基本可靠。

暫時處理方法：對三通道IRF1324S-7PPbF的源極外加一層銅皮，既可以增強倒流能力，也可以增加散熱。（這樣處理過后，一個月左右，還是出現4個通道IRF1324S-7PPbF燒毀）

問題：

一直沒有弄清楚的問題是IRF1324S-7PPbF為什么會出現柵極對漏極低阻抗？

IRF1324S-7PPbF損壞的原因是什么？