L6599D短路保護(hù)問題請教

用L6599D做LLC電源，在做短路時發(fā)生炸機(jī)。從仿真波形上看，是短路時電流上升太快，ISEN引腳電壓根本跟不上實際電流的變化，導(dǎo)致變壓器飽和。

我現(xiàn)有的設(shè)計：正常工作時，諧振電感大約B=0.15T，勵磁電感大約B=0.1T，ISEN電壓大約600mV。

請問各位：

1. 用L6599是如何實現(xiàn)可靠的短路保護(hù)的，變壓器的余量是不是要留很大？

2. 另外，用平均電流來下拉Css感覺根本無法做到可靠的限流保護(hù)，是否有成熟的外搭電路？

附圖是輸入電壓上升時的波形，輸入電壓瞬間上升和短路的情形類似，可以看出諧振電流已經(jīng)飽和。

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心如刀割

2016-12-29 19:56

1、電流采樣電阻是否用合適？DELAY參數(shù)是否恰當(dāng)

2. L6599非常容易受到干擾，特別是ISEN這塊。可以先上原理圖和參數(shù)看看，布線也很關(guān)鍵。前級的限功率不知道怎么外搭，可以在后級加個恒流。

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417zhouge

2016-12-30 08:25

ISEN引腳上的C放小，電流限制，放到MOSFET的額定電流的一半左右，因為保護(hù)反應(yīng)時間慢，關(guān)斷PWM之前的延時不至于讓MOSFET過流。就不會炸了。

這個圖里面，電流有好幾個周期都很大，溫度高了，MOSFET會扛不住，就掛了。

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riders8

LV.1

2016-12-30 08:58

@417zhouge

ISEN引腳上的C放小，電流限制，放到MOSFET的額定電流的一半左右，因為保護(hù)反應(yīng)時間慢，關(guān)斷PWM之前的延時不至于讓MOSFET過流。就不會炸了。這個圖里面，電流有好幾個周期都很大，溫度高了，MOSFET會扛不住，就掛了。

感謝回復(fù)。

的確ISEN保護(hù)速度太慢了，正常工作時，諧振電流峰值1.1A，ISEN電壓600mV左右。但是短路時，諧振電流迅速上升，我看了一下波形，當(dāng)電流峰值達(dá)到3A左右時，ISEN還不到700mV，而且諧振電流幾乎是3,4個開關(guān)周期就上升到3A，這個時候保護(hù)不動作，很快諧振電感就飽和了，電流就失控了。

磁元件的B一般去多少啊？還是要用高飽和的磁芯？

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riders8

LV.1

2016-12-30 09:09

@心如刀割

1、電流采樣電阻是否用合適？DELAY參數(shù)是否恰當(dāng)2.L6599非常容易受到干擾，特別是ISEN這塊。可以先上原理圖和參數(shù)看看，布線也很關(guān)鍵。前級的限功率不知道怎么外搭，可以在后級加個恒流。

感謝回復(fù)。

我現(xiàn)在采用的是電容分流+平均電流的方式來采樣的，諧振頻率100k，諧振電容22n，分流電容220p，采樣RC 150Ohm+1uF。個人感覺Delay的響應(yīng)速度是無法保護(hù)短路的。

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417zhouge

2016-12-30 12:55

@riders8

感謝回復(fù)。的確ISEN保護(hù)速度太慢了，正常工作時，諧振電流峰值1.1A，ISEN電壓600mV左右。但是短路時，諧振電流迅速上升，我看了一下波形，當(dāng)電流峰值達(dá)到3A左右時，ISEN還不到700mV，而且諧振電流幾乎是3,4個開關(guān)周期就上升到3A，這個時候保護(hù)不動作，很快諧振電感就飽和了，電流就失控了。磁元件的B一般去多少啊？還是要用高飽和的磁芯？

諧振電感的飽和點用短路、過載、起機(jī)時的最大峰值電流來設(shè)計，要大于對應(yīng)的極限情況下，△B要小于0.3才算安全。

起機(jī)時，電流應(yīng)力也是很大的。

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