Power Integrations推出HiperPFS-4功率因數校正IC，可使550 W以內PFC設計的效率達到98%
Power Integrations今日推出HiperPFS?-4系列功率因數校正(PFC) IC。 新器件系列適合要求在滿載及輕載下均提供優異效率及功率因數性能的應用。 HiperPFS-4器件采用緊湊型電氣隔離的可散熱封裝，內部同時集成了一個適合305 VAC輸入的600 V MOSFET和一個高效率變頻CCM PFC控制器。 該IC系列不僅能提供高功率因數和低THD，而且還可在非常寬的輸出負載范圍內始終實現高效率，使OEM廠商符合嚴格的80 PLUS? Platinum及Titanium級電源標準。
HiperPFS-4
PFC Controller with Integrated 600 V MOSFET Optimized for High PF and Efficiency Across Load Range
數據手冊：
hiperpfs-4_family_datasheet.pdf
產品詳情：
HiperPFS?-4器件將一個連續導通模式(CCM)升壓PFC控制器、柵極驅動器和600 V功率MOSFET集成在一個（接地引腳內部相連）薄型功率封裝中。HiperPFS-4器件可省去外部電流檢測電阻，從而避免與其相關的功率損耗。其創新的控制技術，可在整個輸出負載、輸入電壓和輸入工頻周期內調整開關頻率。
這項控制技術能夠提高整個負載范圍內的效率，特別是輕載條件下的效率。此外，由于其很寬的帶寬頻譜分布效應，可以降低對EMI濾波的要求。HiperPFS-4采用先進的數字技術來實現輸入電壓監測、輸入電壓前饋調節和功率因數改善，同時核心控制器采用模擬技術來維持極低的空載功耗。
HiperPFS-4還具有一個集成式非線性誤差放大器，可改善負載動態響應。用戶除了可設定的電源備妥(PG)信號外，還可以選擇功率限制功能。HiperPFS-4具備Power Integrations的整套標準保護功能，例如欠壓保護、過壓保護、電壓緩升/跌落保護和遲滯熱關斷等。此外，HiperPFS-4還提供功率MOSFET逐周期限流和安全工作區(SOA)保護、限制輸出功率的過載保護以及引腳到引腳短路保護。
產品特色
- 內部集成了600 V MOSFET
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在整個負載范圍內均具有高效率及高功率因數
- 從10%負載至100%負載效率均>95%
- 在230 VAC輸入下空載功耗<60 mW
- 在20%負載下PF >0.95
- 滿足EN61000-3-2 Class C和D標準
- 無需絕緣墊片/導熱散熱片
- 數字式輸入電壓峰值檢測 - 即使在不間斷電源(UPS)或發電機供電時產生的電壓出現畸變情況下仍可提供可靠性能
- 數字式功率因數增強電路可補償EMI濾波器和整流橋產生的畸變，因而可以在高壓輸入、20%負載條件下提供0.95以上的功率因數
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在整個輸入電壓范圍內以及每個工頻周期其工作頻率都進行調整
- 在>60kHz的頻率范圍內進行擴頻，可簡化EMI濾波電路
- 減小升壓電感
- 在通用輸入電壓應用中可提供450 W的峰值輸出功率，在僅高輸入電壓應用中可提供610 W的峰值輸出功率
- 保護特性包括：欠壓鎖定(UVLO)保護、欠壓(UV)保護、過壓(OV)保護、過溫保護(OTP)、電壓緩升/跌落保護、逐周期限流以及過載功率限制保護
- 可耐受305 VA穩態和410 VAC異常輸入電壓
設計范例：
產品圖片：
