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反激電源反射電壓取值問題？

正在做一部反激電源，輸出33V 3A，電壓輸入范圍是AC 165~264V，開關管耐壓是600V，反射電壓取85V是否合適？
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2017-08-16 07:48
頂起來    讓大神們看到
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jianyedin
LV.9
3
2017-08-16 08:59

600-(264*1.4)-85=145.4

余量夠了，合適

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2017-08-16 10:27

600V的MOS管，90%的使用率，就是VDS不能超過540V

540－85－264*1.414＝80V

80V÷33V=2.42，圈比小于2.42就行。

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2017-08-16 11:29

合適，QR的話可以取高點。

注意MOS耐壓和占空比就可以了

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2017-08-16 11:45
反激式反射電壓的選取 你需要考慮 占空比的選取  mos管VDS的耐壓（moset的設計要預留一定的預留 一般這里說的是一般或是經驗值 一般mosfet額定0.8使用） 
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陳飛123
LV.1
7
2017-08-16 11:50
@電源網李子
反激式反射電壓的選取你需要考慮占空比的選取 mos管VDS的耐壓（moset的設計要預留一定的預留一般這里說的是一般或是經驗值一般mosfet額定0.8使用） 
果然是大師
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shao456
LV.6
8
2017-08-16 15:00
反射電壓與輸入電壓和占空比相關，反射電壓取得太低，導致最大占空比較小，相應的原副匝比也小，導致原邊電流峰值太大影響效率和EMI，建議反射電壓取120V，600V的管子剛剛夠用
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2017-08-16 17:31
@shao456
反射電壓與輸入電壓和占空比相關，反射電壓取得太低，導致最大占空比較小，相應的原副匝比也小，導致原邊電流峰值太大影響效率和EMI，建議反射電壓取120V，600V的管子剛剛夠用
匝比太小 輸出管的耐壓跟著上漲 耐壓上漲  按照目前的制成工藝 lowV是有一定難度的，還是結合實際調試為好，沒有最終答案 只有最優結果~（個人觀點僅供參考）
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2017-08-16 23:23

可以用，但不一定是最合適的

個人的習慣是在低壓滿載時DUTY盡量做到近50%

DUTY大，VDS耐壓高，所以要折中。

一般70-140V的反射電壓理論上都是可取的

可以實際試下

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caipaofan3
LV.1
11
2017-08-24 19:05
@shao456
反射電壓與輸入電壓和占空比相關，反射電壓取得太低，導致最大占空比較小，相應的原副匝比也小，導致原邊電流峰值太大影響效率和EMI，建議反射電壓取120V，600V的管子剛剛夠用

我也這樣認為，匝比取4左右，反射電壓約130，Dmax約為0.45，管子裕量=600-264*1.414-130=96 

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2017-08-25 13:48
本帖已入選每日一問活動中，活動詳情戳：

http://www.cubesun.cn/bbs/1547220.html



樓主，如果出現滿意回復，記得設置最佳回復~~~
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cyyzej
LV.7
13
2017-08-29 16:12
100W做反擊，選擇好嗎？
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prof_no
LV.1
14
2019-01-25 17:13
@shao456
反射電壓與輸入電壓和占空比相關，反射電壓取得太低，導致最大占空比較小，相應的原副匝比也小，導致原邊電流峰值太大影響效率和EMI，建議反射電壓取120V，600V的管子剛剛夠用
其實稍微大一些，也是可以的，100V左右，壓力比較小，120和130，這就需要技術了 ，像類似我這樣的新手，還是放小一些安全，130太挑戰了
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2019-01-25 23:22
低了吧！我覺得低了點
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czj678
LV.2
16
2019-11-09 20:08
@edie87@163.com
600V的MOS管，90%的使用率，就是VDS不能超過540V540－85－264*1.414＝80V80V÷33V=2.42，圈比小于2.42就行。
80V÷33V=2.42，圈比小于2.42   這是怎么算出來的能否指點一下前輩多謝
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2019-11-14 11:34
@czj678
80V÷33V=2.42，圈比小于2.42  這是怎么算出來的能否指點一下前輩多謝
這個80V，是次級折射到初級的電壓，就是說，次級的折射電壓不能超過80V，Vout*n<80V，就是n<2.42
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#回復內容已被刪除#
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czj678
LV.2
19
2023-10-16 13:56
@edie87@163.com
這個80V，是次級折射到初級的電壓，就是說，次級的折射電壓不能超過80V，Vout*n

多謝，哪位朋友研究過交錯并聯雙管正激電路

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