N溝道的增強型MOSFET在同步整流時(續(xù)流管),電流是從S往D流?
那究竟是通過體內(nèi)的二極管還是通過MOSFET本身的耗盡層形成的導(dǎo)電溝道?
請專家給出詳細的解釋,一直不是很清楚?
N溝道的增強型MOSFET在同步整流時,電流是從S往D流?
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同步整流low side mosfet 的作用其實跟非同步整流時的shottky diode是一樣的,電流從S到D,不同的是由于MOSFET是雙向?qū)?當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實現(xiàn),因為電感的電流沒有中斷,而是變成從負載sink電流.這也是同步整流的一個優(yōu)點.至于body diode,它只在死區(qū)時間導(dǎo)通.一般給low side mosfet并一個shottky diode,這樣死區(qū)時間里shottky diode取代body diode導(dǎo)通,提高了效率
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@gunking
同步整流lowsidemosfet的作用其實跟非同步整流時的shottkydiode是一樣的,電流從S到D,不同的是由于MOSFET是雙向?qū)?當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實現(xiàn),因為電感的電流沒有中斷,而是變成從負載sink電流.這也是同步整流的一個優(yōu)點.至于bodydiode,它只在死區(qū)時間導(dǎo)通.一般給lowsidemosfet并一個shottkydiode,這樣死區(qū)時間里shottkydiode取代bodydiode導(dǎo)通,提高了效率
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動,而不通過體內(nèi)的DIODE.
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@guagua
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動,而不通過體內(nèi)的DIODE.
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動,而不通過體內(nèi)的DIODE.
另外:當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實現(xiàn),因為電感的電流沒有中斷,而是變成從負載sink電流.這也是同步整流的一個優(yōu)點.
我不是很明白您的意識,BUCK一般是連續(xù)模式,電流減少到零,不解.
我認為同步整流的優(yōu)點是MOSFET的通態(tài)損耗小.
另外:當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實現(xiàn),因為電感的電流沒有中斷,而是變成從負載sink電流.這也是同步整流的一個優(yōu)點.
我不是很明白您的意識,BUCK一般是連續(xù)模式,電流減少到零,不解.
我認為同步整流的優(yōu)點是MOSFET的通態(tài)損耗小.
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@guagua
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動,而不通過體內(nèi)的DIODE.另外:當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實現(xiàn),因為電感的電流沒有中斷,而是變成從負載sink電流.這也是同步整流的一個優(yōu)點.我不是很明白您的意識,BUCK一般是連續(xù)模式,電流減少到零,不解.我認為同步整流的優(yōu)點是MOSFET的通態(tài)損耗小.
有篇論文曾經(jīng)說的很清楚,后頭我?guī)湍阏艺铱?
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@guagua
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動,而不通過體內(nèi)的DIODE.另外:當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實現(xiàn),因為電感的電流沒有中斷,而是變成從負載sink電流.這也是同步整流的一個優(yōu)點.我不是很明白您的意識,BUCK一般是連續(xù)模式,電流減少到零,不解.我認為同步整流的優(yōu)點是MOSFET的通態(tài)損耗小.
MOSFET內(nèi)部電流可以雙向流動,一般采用由S到D的多,在電流連續(xù)時,當(dāng)狀態(tài)改變,會從D到S,這時應(yīng)控制使其關(guān)斷,有點象快恢復(fù)的反向恢復(fù)時間.
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