200V的IGBT不行吧,要用600V的才可以,1000W最好還是用3525做,另外加PFC

1、600V耐壓是必須的;
2、IGBT的高頻特性通常比MOSFET差很多,如果你打算開關頻率超過20K的話,建議不要使用IGBT.

建議你采用MOSFET.原因:IGBT在耐壓600V以上之領域的功率損失相當低.雖然可以藉IC之設計技術提高BJT之性能,但是,無法根本解決BJT的電荷存儲時件問題(BJT在OFF時需耗費較長時間),因此,在需要作高速開關動作之領域較不適合使用IGBT,但是,在使用AC市電驅動之場合(例如驅動馬達等之場合),在高電壓大功率之應用領域內使用IGBT的效率遠較MOSFET高.

可以考慮用3525驅動的全橋電路(MOS管)

一般IGBT的工作頻率上限為20kHz~40kHz,基于穿通(PT)型結構應用新技術制造的IGBT,可工作于150kHz(硬開關)和300kHz(軟開關).    所以,主要是看你的頻率.    選SG3525.

1000W的電源最好用3525板橋電路,用MOS管,也可以用電流型的IC,如3846
電流型的電路中的管子可以設計余量小一點,成本也可以低.

1000W的電源,采用3525加半橋電路即可,磁芯用E55,功率管采用MOS管就可以了
用硬開關電路,一般效率可做到0.92左右,這樣簡單又可靠.

如果要足夠高的效率的話,就用ISL6752做ZVS全橋,加上同步整流,基本上12V輸出的話,至少可以達到92%以上

根本不用RIGPT,用MOS就可以了,假設PFC400V輸出的話,MOS管用500V 12A就足夠了,PFC的話用UC3855,做400KHZ,兩顆20N60外加一顆12N60的ZVS輔助管.
ISL6752也是用400KHZ/200KHZ,PC50的PQ4040就可以了

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